– ۵۵ برخه

د چین د ګرافیت الکترود بندونه د کلیدي تولیدي پروسې ټیکنالوژیو کې نوي پرمختګونه کړي دي. د فانګدا کاربن ون نوښتي لاسته راوړنې د ولایتي کارمندانو غوره لاسته راوړنې ترلاسه کړې ...

د ادارې لخوا په 19-12-13

د فانګډا کاربن د کاربن څیړنې ټیم په خپلواکه توګه د ساینسي څیړنې پایله "د ګرافیت الیکټروډ پیسټ کې د کاربن فایبر د خپریدو ټیکنالوژي او غوښتنلیک" نوښت کړی ، د بهرنۍ ټیکنالوژۍ انحصار ماتوي او په مؤثره توګه د خپلواک نوښت وړتیا ته وده ورکوي ...

نور ولولئ

د چین د ګرافیت بازار پیمانه وده کوي، د طبیعي ګرافیت بازار کم شوی او د صنعت تولید ارزښت پراخ شوی

د ادارې لخوا په 19-12-11

ګرافیت یو غیر فلزي منرال دی چې د مختلفو ځانګړتیاو سره د مختلفو ځانګړتیاوو لکه د تودوخې لوړ مقاومت، د بریښنا چالکتیا، حرارتي چالکتیا، غوړ، کیمیاوي ثبات، پلاستیکیت، او د تودوخې شاک مقاومت لري. د انعطاف وړ، غوړولو او رګونو موادو په توګه، ګراف ...

نور ولولئ

په 2019 کې د داخلي مغولستان Xinghe او Graphite کاربن په څیر د صنعتي پروژو پرمختګ: د 2.576 ملیارد یوانو ټوله پانګونه

د ادارې لخوا په 19-12-09

تر اوسه پورې د داخلي مغولستان د شينجيانګ په سيمه کې د څه دپاسه ٣٠ مليونو يوانو په پانګې اچونې سره ١١ کليدي صنعتي پروژې راجلب کړي چې ټولټال ٢،٥٧٦ مليارډه يوانه پانګونه يې کړې ده (د ٣ دوامدارو پروژو په شمول چې ټولټال ١،٠٥٩ مليارډه يوانه پانګونه لري؛ په ټوليزه توګه اته نوې پروژې. د 1.517 b پانګونې ...

نور ولولئ

د سیچوان په وانګ سینګ کې نوی کشف شوی خورا لوی لوړ کیفیت کرسټالین ګرافیت ایسک

د منتظم لخوا په 19-12-04

د سيچوان ولايت پراخ مساحت لري او د معدني سرچينو له پلوه بډايه ده. د دوی په منځ کې، د ستراتیژیکو سرچینو د راڅرګندیدو احتمال خورا لوی دی. څو ورځې مخکې، دا د سیچوان طبیعي زیرمو ساینس او ټیکنالوژۍ څیړنیز انسټیټیوټ (سیچوان سپوږمکۍ غوښتنلیک ټیکنالوژۍ مرکز) لخوا رهبري کیده، سیچ ...

نور ولولئ

د سیچوان په وانګ سینګ کې نوی کشف شوی خورا لوی لوړ کیفیت کرسټالین ګرافیت ایسک

د منتظم لخوا په 19-12-04

د سيچوان ولايت پراخ مساحت لري او د معدني سرچينو له پلوه بډايه ده. د دوی په منځ کې، د ستراتیژیکو سرچینو د راڅرګندیدو احتمال خورا لوی دی. څو ورځې مخکې، دا د سیچوان طبیعي زیرمو ساینس او ټیکنالوژۍ څیړنیز انسټیټیوټ (سیچوان سپوږمکۍ غوښتنلیک ټیکنالوژۍ مرکز) لخوا رهبري کیده، سیچ ...

نور ولولئ

د سیچوان په وانګ سینګ کې نوی کشف شوی خورا لوی لوړ کیفیت کرسټالین ګرافیت ایسک

د منتظم لخوا په 19-12-04

د سيچوان ولايت پراخ مساحت لري او د معدني سرچينو له پلوه بډايه ده. د دوی په منځ کې، د ستراتیژیکو سرچینو د راڅرګندیدو احتمال خورا لوی دی. څو ورځې مخکې، دا د سیچوان طبیعي زیرمو ساینس او ټیکنالوژۍ څیړنیز انسټیټیوټ (سیچوان سپوږمکۍ غوښتنلیک ټیکنالوژۍ مرکز) لخوا رهبري کیده، سیچ ...

نور ولولئ

د سیچوان په وانګ سینګ کې نوی کشف شوی خورا لوی لوړ کیفیت کرسټالین ګرافیت ایسک

د منتظم لخوا په 19-12-04

د سيچوان ولايت پراخ مساحت لري او د معدني سرچينو له پلوه بډايه ده. د دوی په منځ کې، د ستراتیژیکو سرچینو د راڅرګندیدو احتمال خورا لوی دی. څو ورځې مخکې، دا د سیچوان طبیعي زیرمو ساینس او ټیکنالوژۍ څیړنیز انسټیټیوټ (سیچوان سپوږمکۍ غوښتنلیک ټیکنالوژۍ مرکز) لخوا رهبري کیده، سیچ ...

نور ولولئ

د بیټرۍ ټیکنالوژۍ راتلونکی: سیلیکون انودونه، ګرافین، المونیم-اکسیجن بیټرۍ، او نور.

د ادارې لخوا په 19-12-02 کې

د مدیر یادونه: بریښنایی ټیکنالوژي د شنې ځمکې راتلونکی دی ، او د بیټرۍ ټیکنالوژي د بریښنایی ټیکنالوژۍ بنسټ دی او د بریښنایی ټیکنالوژۍ لوی کچې پراختیا محدودولو کلیدي ده. د بیټرۍ اوسنۍ اصلي ټیکنالوژي د لیتیم آیون بیټرۍ دي، کوم چې ...

نور ولولئ

په چین کې د کرسټال ګرافیت ویش او پراختیا

د ادارې لخوا په 19-11-25

په صنعتي توګه، طبیعي ګرافائٹ د کریسټال شکل له مخې په کریسټالین ګرافیت او کریپټوکریسټالین ګرافیت کې طبقه بندي کیږي. کرسټالین ګرافیت ښه کرسټال شوی، او د کرسټال پلیټ قطر 1 μm دی، چې ډیری یې د یو واحد کرسټال یا فلاکي کرسټال لخوا تولید کیږي. کریسټا...

نور ولولئ