Powłokę SiC można przygotować metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD), transformacji prekursorów, natryskiwania plazmowego itp. Powłoka przygotowana metodą CHEMICZNEGO osadzania z fazy gazowej jest jednolita i zwarta oraz ma dobre możliwości projektowania. Stosowanie trichlosilanu metylu. (CHzSiCl3, MTS) jako źródło krzemu, preparat powłoki SiC...
Przeczytaj więcej