Monokrystaliczny 8-calowy wafel krzemowy firmy VET Energy to wiodące w branży rozwiązanie do produkcji półprzewodników i urządzeń elektronicznych. Oferując doskonałą czystość i strukturę krystaliczną, płytki te idealnie nadają się do zastosowań o wysokiej wydajności, zarówno w przemyśle fotowoltaicznym, jak i półprzewodnikowym. VET Energy zapewnia, że każda płytka jest skrupulatnie przetwarzana, aby spełniać najwyższe standardy, zapewniając doskonałą jednorodność i gładkie wykończenie powierzchni, które są niezbędne w zaawansowanej produkcji urządzeń elektronicznych.
Te monokrystaliczne 8-calowe płytki krzemowe są kompatybilne z szeregiem materiałów, w tym płytkami Si, podłożem SiC, płytkami SOI, podłożem SiN i szczególnie nadają się do wzrostu płytek Epi. Ich doskonała przewodność cieplna i właściwości elektryczne czynią je niezawodnym wyborem w przypadku wysokowydajnej produkcji. Ponadto płytki te zaprojektowano tak, aby bezproblemowo współpracowały z materiałami takimi jak tlenek galu Ga2O3 i wafle AlN, oferując szeroki zakres zastosowań, od elektroniki mocy po urządzenia RF. Płytki doskonale pasują również do systemów kasetowych w zautomatyzowanych środowiskach produkcyjnych o dużej objętości.
Linia produktów VET Energy nie ogranicza się do płytek krzemowych. Oferujemy również szeroką gamę materiałów półprzewodnikowych na podłoża, w tym podłoże SiC, wafel SOI, podłoże SiN, wafel Epi itp., a także nowe materiały półprzewodnikowe o szerokim paśmie wzbronionym, takie jak tlenek galu Ga2O3 i wafel AlN. Produkty te mogą zaspokoić potrzeby różnych klientów w zakresie energoelektroniki, częstotliwości radiowych, czujników i innych dziedzin.
VET Energy zapewnia klientom niestandardowe rozwiązania w zakresie płytek. Możemy dostosować wafle o różnej oporności, zawartości tlenu, grubości itp. zgodnie ze specyficznymi potrzebami klientów. Ponadto zapewniamy również profesjonalne wsparcie techniczne i obsługę posprzedażową, aby pomóc klientom w rozwiązywaniu różnych problemów napotykanych w procesie produkcyjnym.
SPECYFIKACJA WAFERÓW
*n-Pm=typ n Pm-Grade,n-Ps=typ n-Ps-Grade,Sl=półizolujący
Przedmiot | 8-calowy | 6-calowy | 4-calowy | ||
nP | popołudniu | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Łuk(GF3YFCD)-Wartość absolutna | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Wypaczenie (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Krawędź wafla | Fazowanie |
WYKOŃCZENIE POWIERZCHNI
*n-Pm=typ n Pm-Grade,n-Ps=typ n-Ps-Grade,Sl=półizolujący
Przedmiot | 8-calowy | 6-calowy | 4-calowy | ||
nP | popołudniu | n-Ps | SI | SI | |
Wykończenie powierzchni | Dwustronny lakier optyczny, Si-Face CMP | ||||
Chropowatość powierzchni | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Chipy krawędziowe | Brak Dozwolone (długość i szerokość ≥0,5 mm) | ||||
Wcięcia | Brak Dozwolone | ||||
Zadrapania (Si-Face) | Ilość ≤5, skumulowane | Ilość ≤5, skumulowane | Ilość ≤5, skumulowane | ||
Spękanie | Brak Dozwolone | ||||
Wykluczenie krawędzi | 3mm |