Nośnik wytrawiania ICP

Krótki opis:

Miejsce pochodzenia:Chiny

Struktura kryształu:Faza FCCβ

Gęstość:3,21 g/cm2;

Twardość:2500 Vickersów;

Rozmiar ziarna:2 ~ 10 μm;

Czystość chemiczna:99,99995%;

Pojemność cieplna:640J·kg-1·K-1;

Temperatura sublimacji:2700 ℃;

Siła Felexuralna:415 Mpa (RT 4-punktowy);

Moduł Younga:430 GPa (zgięcie 4-punktowe, 1300 ℃);

Rozszerzalność cieplna (WRC):4,5 10-6K-1;

Przewodność cieplna:300 (W/MK);

Wyślij e-mail do nas Pobierz jako plik PDF

Szczegóły produktu

Tagi produktów

Opis produktu

Nasza firma świadczy usługi w zakresie powlekania SiC metodą CVD na powierzchni grafitu, ceramiki i innych materiałów, dzięki czemu specjalne gazy zawierające węgiel i krzem reagują w wysokiej temperaturze uzyskując cząsteczki SiC o wysokiej czystości, cząsteczki osadzone na powierzchni powlekanych materiałów, tworząc warstwę ochronną SIC.

Główne cechy:

1. Odporność na utlenianie w wysokiej temperaturze:

odporność na utlenianie jest nadal bardzo dobra, gdy temperatura wynosi aż 1600 C.

2. Wysoka czystość: uzyskana przez chemiczne osadzanie z fazy gazowej w warunkach chlorowania w wysokiej temperaturze.

3. Odporność na erozję: wysoka twardość, zwarta powierzchnia, drobne cząstki.

4. Odporność na korozję: kwasy, zasady, sól i odczynniki organiczne.

Główne specyfikacje powłoki CVD-SIC

Właściwości SiC-CVD
Struktura kryształu	Faza β FCC
Gęstość	g/cm³	3.21
Twardość	Twardość Vickersa	2500
Rozmiar ziarna	um	2 ~ 10
Czystość chemiczna	%	99,99995
Pojemność cieplna	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura sublimacji	℃	2700
Siła Felexuralna	MPa (RT 4-punktowy)	415
Moduł Younga	Gpa (4-punktowe zagięcie, 1300℃)	430
Rozszerzalność cieplna (CTE)	10-6K-1	4,5
Przewodność cieplna	(W/mK)	300