ਖ਼ਬਰਾਂ

ਵਾਸ਼ਪ ਪੜਾਅ ਐਪੀਟੈਕਸੀ ਲਈ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਪੈਡਸਟਲ
24-07-30 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਵਾਸ਼ਪ ਪੜਾਅ ਐਪੀਟੈਕਸੀ (VPE) ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੇ ਦੌਰਾਨ, ਪੈਡਸਟਲ ਦੀ ਭੂਮਿਕਾ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਨਾ ਅਤੇ ਵਿਕਾਸ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੇ ਦੌਰਾਨ ਇਕਸਾਰ ਹੀਟਿੰਗ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਣਾ ਹੈ। ਵੱਖ-ਵੱਖ ਕਿਸਮਾਂ ਦੇ ਪੈਡਸਟਲ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਵਿਕਾਸ ਦੀਆਂ ਸਥਿਤੀਆਂ ਅਤੇ ਪਦਾਰਥ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਲਈ ਢੁਕਵੇਂ ਹਨ। ਹੇਠ ਲਿਖੇ ਕੁਝ ਹਨ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਟੈਂਟਲਮ ਕਾਰਬਾਈਡ ਕੋਟੇਡ ਉਤਪਾਦਾਂ ਦੀ ਸੇਵਾ ਜੀਵਨ ਨੂੰ ਕਿਵੇਂ ਵਧਾਇਆ ਜਾਵੇ?
24-07-26 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਟੈਂਟਲਮ ਕਾਰਬਾਈਡ ਕੋਟੇਡ ਉਤਪਾਦ ਇੱਕ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਵਾਲੀ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ, ਜੋ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਪਹਿਨਣ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਆਦਿ ਦੁਆਰਾ ਦਰਸਾਈ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਇਸਲਈ, ਇਹਨਾਂ ਦੀ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਏਰੋਸਪੇਸ, ਰਸਾਇਣਕ ਅਤੇ ਊਰਜਾ ਵਰਗੇ ਉਦਯੋਗਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਸਾਬਕਾ ਕਰਨ ਲਈ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ CVD ਉਪਕਰਣਾਂ ਵਿੱਚ PECVD ਅਤੇ LPCVD ਵਿੱਚ ਕੀ ਅੰਤਰ ਹੈ?
24-07-24 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾ (CVD) ਇੱਕ ਗੈਸ ਮਿਸ਼ਰਣ ਦੀ ਰਸਾਇਣਕ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਦੁਆਰਾ ਇੱਕ ਸਿਲੀਕਾਨ ਵੇਫਰ ਦੀ ਸਤਹ 'ਤੇ ਇੱਕ ਠੋਸ ਫਿਲਮ ਜਮ੍ਹਾ ਕਰਨ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ। ਵੱਖ-ਵੱਖ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਦੀਆਂ ਸਥਿਤੀਆਂ (ਦਬਾਅ, ਪੂਰਵਗਾਮੀ) ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ, ਇਸ ਨੂੰ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਉਪਕਰਣਾਂ ਵਿੱਚ ਵੰਡਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਗ੍ਰੈਫਾਈਟ ਮੋਲਡ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ
24-07-18 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਮੋਲਡ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਮੋਲਡ ਇੱਕ ਮਿਸ਼ਰਤ ਉੱਲੀ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ (SiC) ਅਧਾਰ ਵਜੋਂ ਅਤੇ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਨੂੰ ਮਜ਼ਬੂਤੀ ਸਮੱਗਰੀ ਵਜੋਂ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਮੋਲਡ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ, ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਫੋਟੋਲਿਥੋਗ੍ਰਾਫੀ ਦੀ ਪੂਰੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਕਰਦਾ ਹੈ
24-07-16 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਹਰੇਕ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਤਪਾਦ ਦੇ ਨਿਰਮਾਣ ਲਈ ਸੈਂਕੜੇ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਅਸੀਂ ਸਾਰੀ ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਅੱਠ ਪੜਾਵਾਂ ਵਿੱਚ ਵੰਡਦੇ ਹਾਂ: ਵੇਫਰ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ-ਆਕਸੀਕਰਨ-ਫੋਟੋਲਿਥੋਗ੍ਰਾਫੀ-ਐਚਿੰਗ-ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਡਿਪੋਜ਼ਿਸ਼ਨ-ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਗ੍ਰੋਥ-ਡਿਫਿਊਜ਼ਨ-ਆਇਨ ਇਮਪਲਾਂਟੇਸ਼ਨ। ਤੁਹਾਡੀ ਮਦਦ ਕਰਨ ਲਈ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
4 ਅਰਬ! SK Hynix ਨੇ ਪਰਡਿਊ ਰਿਸਰਚ ਪਾਰਕ ਵਿਖੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਐਡਵਾਂਸਡ ਪੈਕੇਜਿੰਗ ਨਿਵੇਸ਼ ਦੀ ਘੋਸ਼ਣਾ ਕੀਤੀ
24-07-09 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
West Lafayette, ਇੰਡੀਆਨਾ - SK hynix Inc. ਨੇ ਪਰਡਿਊ ਰਿਸਰਚ ਪਾਰਕ ਵਿਖੇ ਨਕਲੀ ਖੁਫੀਆ ਉਤਪਾਦਾਂ ਲਈ ਇੱਕ ਉੱਨਤ ਪੈਕੇਜਿੰਗ ਨਿਰਮਾਣ ਅਤੇ R&D ਸਹੂਲਤ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਲਗਭਗ $4 ਬਿਲੀਅਨ ਨਿਵੇਸ਼ ਕਰਨ ਦੀਆਂ ਯੋਜਨਾਵਾਂ ਦਾ ਐਲਾਨ ਕੀਤਾ ਹੈ। ਵੈਸਟ ਲਫਾਏਟ ਵਿੱਚ ਯੂਐਸ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਪਲਾਈ ਚੇਨ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਮੁੱਖ ਲਿੰਕ ਸਥਾਪਤ ਕਰਨਾ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਲੇਜ਼ਰ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਸਬਸਟਰੇਟ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਪਰਿਵਰਤਨ ਦੀ ਅਗਵਾਈ ਕਰਦੀ ਹੈ
24-07-08 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
1. ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਸਬਸਟਰੇਟ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਸੰਖੇਪ ਜਾਣਕਾਰੀ ਮੌਜੂਦਾ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਸਬਸਟਰੇਟ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਪੜਾਅ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ: ਬਾਹਰੀ ਚੱਕਰ ਨੂੰ ਪੀਸਣਾ, ਕੱਟਣਾ, ਚੈਂਫਰਿੰਗ, ਪੀਸਣਾ, ਪਾਲਿਸ਼ ਕਰਨਾ, ਸਫਾਈ ਕਰਨਾ, ਆਦਿ। ਸਲਾਈਸਿੰਗ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਬਸਟਰੇਟ ਪ੍ਰਕ੍ਰਿਆ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਕਦਮ ਹੈ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਮੁੱਖ ਧਾਰਾ ਥਰਮਲ ਫੀਲਡ ਸਮੱਗਰੀ: C/C ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਸਮੱਗਰੀ
24-07-01 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਕਾਰਬਨ-ਕਾਰਬਨ ਕੰਪੋਜ਼ਿਟ ਇੱਕ ਕਿਸਮ ਦੇ ਕਾਰਬਨ ਫਾਈਬਰ ਕੰਪੋਜ਼ਿਟਸ ਹਨ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਕਾਰਬਨ ਫਾਈਬਰ ਨੂੰ ਮਜ਼ਬੂਤੀ ਸਮੱਗਰੀ ਵਜੋਂ ਅਤੇ ਜਮ੍ਹਾਂ ਕਾਰਬਨ ਨੂੰ ਮੈਟਰਿਕਸ ਸਮੱਗਰੀ ਵਜੋਂ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। C/C ਕੰਪੋਜ਼ਿਟਸ ਦਾ ਮੈਟਰਿਕਸ ਕਾਰਬਨ ਹੈ। ਕਿਉਂਕਿ ਇਹ ਲਗਭਗ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਐਲੀਮੈਂਟਲ ਕਾਰਬਨ ਨਾਲ ਬਣਿਆ ਹੈ, ਇਸ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਹੈ ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
SiC ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿਕਾਸ ਲਈ ਤਿੰਨ ਪ੍ਰਮੁੱਖ ਤਕਨੀਕਾਂ
24-07-01 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਚਿੱਤਰ 3 ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ, ਉੱਚ ਗੁਣਵੱਤਾ ਅਤੇ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਦੇ ਨਾਲ SiC ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਨ ਲਈ ਤਿੰਨ ਪ੍ਰਮੁੱਖ ਤਕਨੀਕਾਂ ਹਨ: ਤਰਲ ਪੜਾਅ ਐਪੀਟੈਕਸੀ (LPE), ਭੌਤਿਕ ਭਾਫ਼ ਟ੍ਰਾਂਸਪੋਰਟ (PVT), ਅਤੇ ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾ (HTCVD)। PVT SiC ਪਾਪ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਲਈ ਇੱਕ ਚੰਗੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਸਥਾਪਿਤ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਹੈ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ