SiC ଆବରଣ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ MOCVD ୱାଫର୍ ବାହକ ，ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସସେପ୍ଟର୍ସ |SiC Epitaxy ପାଇଁ,
କାର୍ବନ ସସେପ୍ଟର ଯୋଗାଏ |, ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଏପିଟାକ୍ସି ସସେପ୍ଟର |, ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସସେପ୍ଟର୍ସ |, MOCVD ସସେପ୍ଟର |, ୱେଫର୍ ସସେପ୍ଟର୍ସ |,

ସ୍ଥିର ଶାରୀରିକ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ଗୁଣ ସହିତ CVD-SiC ଆବରଣର ସମାନ ଗଠନ, କମ୍ପାକ୍ଟ ସାମଗ୍ରୀ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ, ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ, ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା, ଏସିଡ୍ ଏବଂ କ୍ଷାର ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଜ organic ବ ପୁନ ag ର ଗୁଣ ରହିଛି |

ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ସହିତ ତୁଳନା କଲେ, ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ 400C ରେ ଅକ୍ସିଡାଇଜ୍ ହେବା ଆରମ୍ଭ କରେ, ଯାହା ଅକ୍ସିଡେସନ୍ କାରଣରୁ ପାଉଡର ନଷ୍ଟ ହୋଇଯାଏ, ଫଳସ୍ୱରୂପ ପେରିଫେରାଲ୍ ଡିଭାଇସ୍ ଏବଂ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଚାମ୍ବରରେ ପରିବେଶ ପ୍ରଦୂଷଣ ହୁଏ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧ ପରିବେଶର ଅପରିଷ୍କାରତା ବ increase େ |

ତଥାପି, SiC ଆବରଣ 1600 ଡିଗ୍ରୀରେ ଶାରୀରିକ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ସ୍ଥିରତା ବଜାୟ ରଖିପାରେ, ଏହା ଆଧୁନିକ ଶିଳ୍ପରେ ବିଶେଷ ଭାବରେ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |

ଆମ କମ୍ପାନୀ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍, ସେରାମିକ୍ସ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀର ପୃଷ୍ଠରେ CVD ପଦ୍ଧତି ଦ୍ Si ାରା SiC ଆବରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସେବା ଯୋଗାଇଥାଏ, ଯାହା ଦ୍ carbon ାରା କାର୍ବନ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ଧାରଣ କରିଥିବା ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ଗ୍ୟାସ୍ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ହୋଇ ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା SiC ଅଣୁ, ଆବୃତ ସାମଗ୍ରୀର ପୃଷ୍ଠରେ ଜମା ହୋଇଥିବା ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ, SIC ପ୍ରତିରକ୍ଷା ସ୍ତର ଗଠନ |ଗଠିତ ସିଆରସିସି ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବେସ୍ ସହିତ ଦୃ ly ଭାବରେ ବନ୍ଧା ହୋଇଛି, ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବେସ୍କୁ ବିଶେଷ ଗୁଣ ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ, ଏହିପରି ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ କମ୍ପାକ୍ଟ, ପୋରୋସିଟିମୁକ୍ତ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ, କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧକ |

ପ୍ରୟୋଗ:

ମୁଖ୍ୟ ବ features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ:

1. ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ:

ଯେତେବେଳେ ତାପମାତ୍ରା 1700 C ରୁ ଅଧିକ ଥାଏ ସେତେବେଳେ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ବହୁତ ଭଲ |

2. ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା: ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା କ୍ଲୋରିନେସନ୍ ଅବସ୍ଥାରେ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ​​ଦ୍ୱାରା ପ୍ରସ୍ତୁତ |

3. କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ: ଉଚ୍ଚ କଠିନତା, କମ୍ପାକ୍ଟ ଭୂପୃଷ୍ଠ, ସୂକ୍ଷ୍ମ କଣିକା |

4. କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ: ଏସିଡ୍, କ୍ଷାର, ଲୁଣ ଏବଂ ଜ organic ବ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା |

CVD-SIC ଆବରଣର ମୁଖ୍ୟ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ:

ଯୋଗାଣ କ୍ଷମତା:

ପ୍ରତି ମାସରେ 10000 ଖଣ୍ଡ / ଖଣ୍ଡ |
ପ୍ୟାକେଜିଂ ଏବଂ ବିତରଣ:
ପ୍ୟାକିଂ: ଷ୍ଟାଣ୍ଡାର୍ଡ ଏବଂ ମଜବୁତ ପ୍ୟାକିଂ |
ପଲି ବ୍ୟାଗ୍ + ବାକ୍ସ + କାର୍ଟନ୍ + ପ୍ୟାଲେଟ୍ |
ବନ୍ଦର:
ନିଙ୍ଗବୋ / ଶେନଜେନ୍ / ସାଂଘାଇ |
ଲିଡ୍ ସମୟ: