CVD ସିକ୍ ଆବରଣ କାର୍ବନ-କାର୍ବନ କମ୍ପୋଜିଟ୍ ମଡ୍ଡ |

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:


ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍ସ |

ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଣ୍ଣନା

TheCVD SiC ଆବରଣ |ସିସି କମ୍ପୋଜିଟ୍ ମଲ୍ଡ, କାର୍ବନ୍-କାର୍ବନ୍ କମ୍ପୋସାଇଟ୍ ମଲ୍ଡ, ଭେଟ-ଚାଇନାରୁ ସି / ସି ମଲ୍ଡ ହେଉଛି ଏକ ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ଛାଞ୍ଚ ଯାହା ଉନ୍ନତ ତାପଜ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିରୋଧ ଆବଶ୍ୟକ କରୁଥିବା ଶିଳ୍ପଗୁଡିକ ପାଇଁ ପରିକଳ୍ପିତ | Theକାର୍ବନ-କାର୍ବନ କମ୍ପୋଜିଟ୍ |ସଂରଚନା, ଏକ CVD SiC (ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍) ଆବରଣ ସହିତ ବର୍ଦ୍ଧିତ, ଅତ୍ୟଧିକ ତାପମାତ୍ରାରେ ଅତୁଳନୀୟ ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ ଏବଂ ସ୍ଥିରତା ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ, ଯାହା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ, ଏରୋସ୍ପେସ୍ ଏବଂ ଅଟୋମୋବାଇଲ୍ କ୍ଷେତ୍ର ପରି ପ୍ରୟୋଗଗୁଡିକ ପାଇଁ ଏହା ଆଦର୍ଶ କରିଥାଏ |

TheCVD SiC ଆବରଣ |ପିନ୍ଧିବା ଏବଂ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପାଇଁ ଉଲ୍ଲେଖନୀୟ ପ୍ରତିରୋଧ ପ୍ରଦାନ କରେ, ଛାଞ୍ଚର ଆୟୁ ବ ending ାଇଥାଏ ଏବଂ କଠିନ ପରିବେଶରେ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ | ଏହି ଉନ୍ନତ ଆବରଣ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ମଧ୍ୟ ଭୂପୃଷ୍ଠର କଠିନତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିଥାଏ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ ଛାଞ୍ଚକୁ ସୁରକ୍ଷା ଦେଇଥାଏ ଏବଂ ବିକୃତି କିମ୍ବା କ୍ଷତିକୁ ରୋକିଥାଏ | ଭେଟ-ଚିନା ଛାଞ୍ଚ ବ୍ୟବହାର କରୁଥିବା ଶିଳ୍ପ ପାଇଁ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଉପଯୁକ୍ତ |CVD SiC ବାଜୁଛି |ଏବଂ ଉପାଦାନଗୁଡିକ, ଉଚ୍ଚ-ସଠିକତା ଗଠନ ପାଇଁ ଏକ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ସମାଧାନ ପ୍ରଦାନ କରେ |

SiC ଆବରଣ ସହିତ ,।CVD TaC ଆବରଣ |ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ବ enhance ାଇବା ପାଇଁ ମଧ୍ୟ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଇପାରେ, କ୍ଷତିକାରକ ପଦାର୍ଥରୁ ସୁରକ୍ଷା ଆବଶ୍ୟକ କରୁଥିବା ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଛାଞ୍ଚକୁ ବହୁମୁଖୀ କରିଥାଏ | CVD SiC ଏବଂ C / C କମ୍ପୋଜିଟ୍ସରେ ଭେଟ-ଚାଇନାର ପାରଦର୍ଶିତା ନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ଉଭୟ ଶିଳ୍ପ ଏବଂ ବ technical ଷୟିକ ପରିବେଶରେ ଶୀର୍ଷ ସ୍ତରୀୟ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପ୍ରଦାନ କରି ପ୍ରତ୍ୟେକ ଛାଞ୍ଚ ସଠିକତା ସହିତ ତିଆରି ହୋଇଛି |

CVD SiC ଏବଂ କାର୍ବନ-କାର୍ବନ କମ୍ପୋଜିଟ୍ ସାମଗ୍ରୀର ମିଶ୍ରଣ ନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ଉଚ୍ଚ ଉତ୍ତାପ, ରାସାୟନିକ ଏକ୍ସପୋଜର ଏବଂ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଚାପ ସହିତ ଜଡିତ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ CVD SiC ଆବରଣ CC କମ୍ପୋଜିଟ୍ ମଲ୍ଡ, କାର୍ବନ୍-କାର୍ବନ୍ କମ୍ପୋସାଇଟ୍ ମଲ୍ଡ, C / C ମୋଲ୍ଡ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଅଟେ | - ସ୍ଥାୟୀ, ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଛାଞ୍ଚ ସମାଧାନ |

 ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ MOCVD ସସେପ୍ଟରଗୁଡ଼ିକରେ SiC ଆବରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ |

ମୁଖ୍ୟ ବ features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ:

ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ:

ଯେତେବେଳେ ତାପମାତ୍ରା 1600 C ରୁ ଅଧିକ ଥାଏ ସେତେବେଳେ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ବହୁତ ଭଲ |

ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା: ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା କ୍ଲୋରିନେସନ୍ ଅବସ୍ଥାରେ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ​​ଦ୍ୱାରା ପ୍ରସ୍ତୁତ |

3। କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ: ଉଚ୍ଚ କଠିନତା, କମ୍ପାକ୍ଟ ଭୂପୃଷ୍ଠ, ସୂକ୍ଷ୍ମ କଣିକା |

ଜର ପ୍ରତିରୋଧ: ଏସିଡ୍, କ୍ଷାର, ଲୁଣ ଏବଂ ଜ organic ବ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା |

 

CVD-SIC ଆବରଣର ମୁଖ୍ୟ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ:

SiC-CVD

ଘନତା

(g / cc)

3.21

ନମନୀୟ ଶକ୍ତି |

(Mpa)

470

ତାପଜ ବିସ୍ତାର |

(10-6 / K)

4

ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି |

(W / mK)

300

ବିସ୍ତୃତ ପ୍ରତିଛବିଗୁଡିକ |

ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ MOCVD ସସେପ୍ଟରଗୁଡ଼ିକରେ SiC ଆବରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ |ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ MOCVD ସସେପ୍ଟରଗୁଡ଼ିକରେ SiC ଆବରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ |ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ MOCVD ସସେପ୍ଟରଗୁଡ଼ିକରେ SiC ଆବରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ |ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ MOCVD ସସେପ୍ଟରଗୁଡ଼ିକରେ SiC ଆବରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ |ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ MOCVD ସସେପ୍ଟରଗୁଡ଼ିକରେ SiC ଆବରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ |

କମ୍ପାନୀ ସୂଚନା

111

କାରଖାନା ଉପକରଣ

222

ଗୋଦାମ

333

ପ୍ରମାଣପତ୍ର

ପ୍ରମାଣପତ୍ର 22

 


  • ପୂର୍ବ:
  • ପରବର୍ତ୍ତୀ:

  • ହ୍ ats ାଟସ୍ ଆପ୍ ଅନଲାଇନ୍ ଚାଟ୍!