Silicon carbide coated susceptor ဖြစ်ပါ တယ်။a သော့အမျိုးမျိုးသော semiconductor ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များတွင်အသုံးပြုသောအစိတ်အပိုင်း။ဆီလီကွန်ကာဘိုင်ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသော susceptor ပြုလုပ်ရန် ကျွန်ုပ်တို့၏ မူပိုင်ခွင့်နည်းပညာကို အသုံးပြုပါသည်။အလွန်မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု၊ကောင်းတယ်အပေါ်ယံပိုင်းတူညီမှုကောင်းမွန်သောဝန်ဆောင်မှုဘဝ, လည်းပဲမြင့်မားသောဓာတုခုခံမှုနှင့်အပူတည်ငြိမ်ဂုဏ်သတ္တိများ။
VET Energy ဖြစ်ပါ တယ်။ အဆိုပါCVD coating ဖြင့် စိတ်ကြိုက် ဂရပ်ဖိုက်နှင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ထုတ်ကုန်များ၏ တကယ့်ထုတ်လုပ်သူ၊ပေးဝေနိုင်သည်။အမျိုးမျိုးsemiconductor နှင့် photovoltaic လုပ်ငန်းအတွက် စိတ်ကြိုက်အစိတ်အပိုင်းများ။ Oသင်၏နည်းပညာအဖွဲ့သည် ထိပ်တန်းပြည်တွင်းသုတေသနအဖွဲ့အစည်းများမှ လာ၍ ပိုမိုကျွမ်းကျင်သော ပစ္စည်းဖြေရှင်းချက်များကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်ပါသည်။သင့်အတွက်။
ကျွန်ုပ်တို့သည် ပိုမိုအဆင့်မြင့်သော ပစ္စည်းများကို ပံ့ပိုးပေးရန်အတွက် အဆင့်မြင့် လုပ်ငန်းစဉ်များကို စဉ်ဆက်မပြတ် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်စေခြင်း၊နှင့်coating နှင့် substrate အကြား ချိတ်ဆက်မှုကို ပိုမိုတင်းကျပ်စေပြီး ခွာရန် ဖြစ်နိုင်ခြေနည်းစေသည့် သီးသန့်မူပိုင်ခွင့်နည်းပညာကို ဖန်တီးထားသည်။
Fကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်များ၏စားသောက်ဖွယ်ရာများ
1. မြင့်မားသောအပူချိန် 1700 အထိ oxidation ခုခံ℃.
2. မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုနှင့်အပူတူညီမှု
3. အလွန်ကောင်းမွန်သောချေးခုခံမှု- အက်ဆစ်၊ အယ်ကာလီ၊ ဆားနှင့် အော်ဂဲနစ်ဓာတ်ပစ္စည်းများ။
4. မြင့်မားသော မာကျောမှု၊ ကျစ်လစ်သော မျက်နှာပြင်၊ ကောင်းမွန်သော အမှုန်များ။
5. တာရှည်ခံပြီး တာရှည်ခံသည်။
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC ၏ အခြေခံ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများအပေါ်ယံပိုင်း | |
| 性质 /အိမ်ခြံမြေ | 典型数值 / ပုံမှန်တန်ဖိုး |
| 晶体结构 / Crystal Structure | FCC β အဆင့်多晶，主要为（111)取向 |
| 密度 / သိပ်သည်းဆ | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / မာကျောမှု | 2500维氏硬度 (500g load) |
| 晶粒大小 / သီးနှံ SiZe | 2~10μm |
| 纯度 / ဓာတုသန့်စင်မှု | 99.99995% |
| 热内 / Heat Capacity | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimation အပူချိန် | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Flexural Strength | 415 MPa RT 4 ပွိုင့် |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt ကွေး၊ 1300 ℃ |
| 导热系数 / အပူဓာတ်ဌလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
ကျွန်ုပ်တို့၏စက်ရုံသို့လာရောက်လည်ပတ်ရန် သင့်အား နွေးထွေးစွာ ကြိုဆိုပါသည်၊ နောက်ထပ် ဆွေးနွေးမှုများ ပြုလုပ်ကြပါစို့။
