စိတ်ကြိုက် High Purity SiC Coated Graphite Heater Heating Element

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

ဂရပ်ဖိုက်အပူပေးစက်သည် အများအားဖြင့် ဂရပ်ဖိုက်နှင့် ကြွေထည်များဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည့် ဂရပ်ဖိုက်ပစ္စည်းများကို လျှပ်စစ်ဖြင့် အပူပေးခြင်းဖြင့် အပူထုတ်ပေးသည့် လျှပ်စစ်အပူပေးသည့်ပစ္စည်းတစ်မျိုးဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ လှိုင်းတွန့်ဖွဲ့စည်းပုံသည် အပူကို ထိရောက်စွာ ချေဖျက်နိုင်ပြီး စက်မှုလုပ်ငန်း၊ ဆောက်လုပ်ရေး၊ စိုက်ပျိုးရေးနှင့် နေ့စဉ်ဘဝများတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုပါသည်။ ၎င်း၏ကောင်းသောအပူစီးကူးမှုနှင့်မြင့်မားသောအပူချိန်တည်ငြိမ်မှုကြောင့်၊ ဂရပ်ဖိုက်အပူပေးသည့်ဒြပ်စင်ကိုစက်မှုလုပ်ငန်းတွင်တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုသည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။ PDF အဖြစ် ဒေါင်းလုဒ်လုပ်ပါ။

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

ဂရပ်ဖိုက်အပူပေးစက်၏အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

1. အပူဖွဲ့စည်းပုံ၏တူညီမှု။

2. ကောင်းသောလျှပ်စစ်စီးကူးခြင်းနှင့်မြင့်မားသောလျှပ်စစ်ဝန်။

3. ချေးခုခံ။

4. inoxidizability။

5. မြင့်မားသောဓာတုသန့်စင်မှု။

6. မြင့်မားသောစက်မှုခွန်အား။

အားသာချက်မှာ စွမ်းအင်သက်သာခြင်း၊ တန်ဖိုးမြင့်မားခြင်းနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှု နည်းပါးခြင်းတို့ဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်ရေးနှင့် သက်တမ်းရှည်သော ဂရပ်ဖိုက်အတက်၊ ဂရပ်ဖိုက်မှိုနှင့် ဂရပ်ဖိုက်အပူပေးစက်၏ အစိတ်အပိုင်းအားလုံးကို ထုတ်လုပ်နိုင်သည်။

ဂရပ်ဖိုက်အပူပေးစက်၏အဓိကသတ်မှတ်ချက်များ

နည်းပညာဆိုင်ရာသတ်မှတ်ချက်	Semicera-M3
အစုလိုက်သိပ်သည်းဆ (g/cm3)	≥1.85
Ash အကြောင်းအရာ (PPM)	≤500
Shore Hardness	≥45
တိကျသောခုခံမှု (μ.Ω.m)	≤12
Flexural Strength (Mpa)	≥40
Compressive Strength (Mpa)၊	≥70
မက်တယ်။ စပါးအရွယ်အစား (μm)	≤43
Thermal Expansion Mm/°C ၏ ကိန်းဂဏန်း	≤4.4*10-6

VET Energy ဖြစ်ပါ တယ်။ အဆိုပါCVD coating ဖြင့် စိတ်ကြိုက် ဂရပ်ဖိုက်နှင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ထုတ်ကုန်များ၏ တကယ့်ထုတ်လုပ်သူ၊ပေးဝေနိုင်သည်။အမျိုးမျိုးsemiconductor နှင့် photovoltaic လုပ်ငန်းအတွက် စိတ်ကြိုက်အစိတ်အပိုင်းများ။ Oသင်၏နည်းပညာအဖွဲ့သည် ထိပ်တန်းပြည်တွင်းသုတေသနအဖွဲ့အစည်းများမှ လာ၍ ပိုမိုကျွမ်းကျင်သော ပစ္စည်းဖြေရှင်းချက်များကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်ပါသည်။သင့်အတွက်။

ကျွန်ုပ်တို့သည် ပိုမိုအဆင့်မြင့်သော ပစ္စည်းများကို ပံ့ပိုးပေးရန်အတွက် အဆင့်မြင့် လုပ်ငန်းစဉ်များကို စဉ်ဆက်မပြတ် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်စေခြင်း၊နှင့်coating နှင့် substrate အကြား ချိတ်ဆက်မှုကို ပိုမိုတင်းကျပ်စေပြီး ခွာရန် ဖြစ်နိုင်ခြေနည်းစေသည့် သီးသန့်မူပိုင်ခွင့်နည်းပညာကို ဖန်တီးထားသည်။

Fကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်များ၏စားသောက်ဖွယ်ရာများ

1. မြင့်မားသောအပူချိန် 1700 အထိ oxidation ခုခံ℃.
2. မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုနှင့်အပူတူညီမှု
3. အလွန်ကောင်းမွန်သောချေးခုခံမှု- အက်ဆစ်၊ အယ်ကာလီ၊ ဆားနှင့် အော်ဂဲနစ်ဓာတ်ပစ္စည်းများ။
4. မြင့်မားသော မာကျောမှု၊ ကျစ်လစ်သော မျက်နှာပြင်၊ ကောင်းမွန်သော အမှုန်များ။
5. တာရှည်ခံပြီး တာရှည်ခံသည်။

CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC ၏ အခြေခံ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများအပေါ်ယံပိုင်း
性质 /အိမ်ခြံမြေ	典型数值 / ပုံမှန်တန်ဖိုး
晶体结构 / Crystal Structure	FCC β အဆင့်多晶，主要为（111)取向
密度 / သိပ်သည်းဆ	3.21 g/cm³
硬度 / မာကျောမှု	2500维氏硬度 (500g load)
晶粒大小 / သီးနှံ SiZe	2~10μm
纯度 / ဓာတုသန့်စင်မှု	99.99995%
热内 / Heat Capacity	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimation အပူချိန်	2700 ℃
抗弯强度 / Flexural Strength	415 MPa RT 4 ပွိုင့်
杨氏模量 / Young's Modulus	430 Gpa 4pt ကွေး၊ 1300 ℃
导热系数 / အပူဓာတ်ဌလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း(CTE)	4.5×10^-6K^-1