SiC Miksija Graphite Halfmoon Partiis a ċavettakomponent użat fil-proċessi tal-manifattura tas-semikondutturi, speċjalment għal tagħmir epitassjali SiC.Aħna nużaw it-teknoloġija privattiva tagħna biex nagħmlu l-parti halfmoon bihapurità estremament għolja,tajbakisiuniformitàu ħajja ta 'servizz eċċellenti, kif ukollreżistenza kimika għolja u proprjetajiet ta 'stabbiltà termali.
L-Enerġija tal-VET hija ilmanifattur reali ta 'grafita apposta u prodotti tal-karbur tas-silikon b'kisja CVD,jistgħu jfornuvarjiPartijiet personalizzati għal semikondutturi u industrija fotovoltajka. Otim tekniku ur ġej mill-aqwa istituzzjonijiet ta 'riċerka domestiċi, jista' jipprovdi soluzzjonijiet materjali aktar professjonaligħalik.
Aħna kontinwament niżviluppaw proċessi avvanzati biex nipprovdu materjali aktar avvanzati,uħadmu teknoloġija esklussiva privattiva, li tista 'tagħmel it-twaħħil bejn il-kisi u s-sottostrat aktar strett u inqas suxxettibbli għal distakk.
Fikel tal-prodotti tagħna:
1. Reżistenza għall-ossidazzjoni f'temperatura għolja sa 1700℃.
2. Purità għolja uuniformità termali
3. Reżistenza għall-korrużjoni eċċellenti: aċidu, alkali, melħ u reaġenti organiċi.
4. Ebusija għolja, wiċċ kompatt, partiċelli fini.
5. Ħajja ta 'servizz itwal u aktar fit-tul
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Proprjetajiet fiżiċi bażiċi ta 'CVD SiCkisi | |
| 性质 / Proprjetà | 典型数值 / Valur Tipiku |
| 晶体结构 / Struttura tal-kristall | Fażi FCC β多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Densità | 3.21 g/ċm³ |
| 硬度 / Ebusija | 2500 维氏硬度（tagħbija ta' 500g） |
| 晶粒大小 / Daqs tal-qamħ | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Purità Kimika | 99.99995% |
| 热容 / Kapaċità tas-Sħana | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura tas-sublimazzjoni | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Qawwa tal-flessjoni | 415 MPa RT 4-punti |
| 杨氏模量 / Modulus taż-żgħażagħ | 430 Gpa 4pt liwja, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalKonduttività | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Espansjoni Termali (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Bi pjaċir iżżur il-fabbrika tagħna, ejja jkollna aktar diskussjoni!
