Purità Għolja CVD Solid SiC Bulk

Purità Għolja CVD Solidu SiC Bulk Dehru Immaġni

Deskrizzjoni qasira:

It-tkabbir mgħaġġel ta 'kristalli singoli tas-SiC bl-użu ta' sorsi tal-massa CVD-SiC (Deposizzjoni tal-Fwar Kimiku – SiC) huwa metodu komuni għall-preparazzjoni ta 'materjali ta' kristall wieħed SiC ta 'kwalità għolja. Dawn il-kristalli singoli jistgħu jintużaw f'varjetà ta 'applikazzjonijiet, inklużi apparati elettroniċi ta' qawwa għolja, apparati optoelettroniċi, sensuri u apparati semikondutturi.

Ibgħat email lilna Niżżel bħala PDF

Dettall tal-Prodott

Tags tal-Prodott

L-Enerġija VET tuża purità ultra-għoljakarbur tas-silikon (SiC)iffurmat minn depożizzjoni kimika tal-fwar(CVD)bħala l-materjal tas-sors għat-tkabbirKristalli SiCpermezz tat-trasport fiżiku tal-fwar (PVT). F'PVT, il-materjal tas-sors jitgħabba f'agriġjolu sublimat fuq kristall taż-żerriegħa.

Sors ta 'purità għolja huwa meħtieġ għall-manifattura ta' kwalità għoljaKristalli SiC.

VET Energy tispeċjalizza fil-provvista ta 'SiC ta' partiċelli kbar għal PVT minħabba li għandha densità ogħla minn materjal ta 'partiċelli żgħar iffurmat minn kombustjoni spontanja ta' gassijiet li fihom Si u C. B'differenza mis-sinterizzazzjoni tal-fażi solida jew ir-reazzjoni ta 'Si u C, ma teħtieġx forn ta' sinterizzazzjoni dedikat jew pass ta 'sinterizzazzjoni li jieħu ħafna ħin f'forn ta' tkabbir. Dan il-materjal ta 'partiċelli kbar għandu rata ta' evaporazzjoni kważi kostanti, li ttejjeb l-uniformità run-to-run.

Introduzzjoni:
1. Ipprepara sors ta 'blokka CVD-SiC: L-ewwel, għandek bżonn tipprepara sors ta' blokk CVD-SiC ta 'kwalità għolja, li ġeneralment ikun ta' purità għolja u densità għolja. Dan jista 'jiġi ppreparat permezz ta' depożizzjoni kimika tal-fwar (CVD) taħt kundizzjonijiet ta 'reazzjoni xierqa.

2. Preparazzjoni tas-sottostrat: Agħżel sottostrat xieraq bħala s-sottostrat għat-tkabbir tal-kristall wieħed SiC. Materjali ta 'sottostrat użati b'mod komuni jinkludu karbur tas-silikon, nitrur tas-silikon, eċċ., Li għandhom jaqblu tajjeb mal-kristall wieħed SiC li qed jikber.

3. Tisħin u sublimazzjoni: Poġġi s-sors tal-blokka CVD-SiC u s-sottostrat f'forn b'temperatura għolja u ipprovdi kundizzjonijiet xierqa ta 'sublimazzjoni. Is-sublimazzjoni tfisser li f'temperatura għolja, is-sors tal-blokk jinbidel direttament minn stat solidu għal stat tal-fwar, u mbagħad jerġa 'jikkondensa fuq il-wiċċ tas-sottostrat biex jifforma kristall wieħed.

4. Kontroll tat-temperatura: Matul il-proċess ta 'sublimazzjoni, il-gradjent tat-temperatura u d-distribuzzjoni tat-temperatura jeħtieġ li jiġu kkontrollati b'mod preċiż biex jippromwovu s-sublimazzjoni tas-sors tal-blokka u t-tkabbir ta' kristalli singoli. Kontroll xieraq tat-temperatura jista 'jikseb kwalità tal-kristall ideali u rata ta' tkabbir.

5. Kontroll ta 'l-atmosfera: Matul il-proċess ta' sublimazzjoni, l-atmosfera ta 'reazzjoni teħtieġ ukoll li tiġi kkontrollata. Gass inert ta 'purità għolja (bħal argon) normalment jintuża bħala gass trasportatur biex iżomm pressjoni u purità xierqa u jipprevjeni l-kontaminazzjoni minn impuritajiet.

6. Tkabbir ta 'kristall wieħed: Is-sors tal-blokka CVD-SiC jgħaddi minn transizzjoni tal-fażi tal-fwar matul il-proċess ta' sublimazzjoni u jikkondensa mill-ġdid fuq il-wiċċ tas-sottostrat biex jifforma struttura ta 'kristall waħda. Tkabbir rapidu ta 'kristalli singoli tas-SiC jista' jinkiseb permezz ta 'kundizzjonijiet xierqa ta' sublimazzjoni u kontroll tal-gradjent tat-temperatura.