Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptorhuwa mezz ta 'appoġġ u tisħin iddisinjat apposta użat biex iżomm u jsaħħan substrati tas-semikondutturi waqt proċessi ta' manifattura bħal proċessi ta 'Deposizzjoni jew Epitaxy.

L-istruttura tagħha tinkludi tipikament ċilindriċi jew ftit forma ta 'barmil, karatteristiċi tal-wiċċ bwiet multipli jew pjattaformi għat-tqegħid tal-wejfers, jistgħu jkunu disinn solidu jew vojt, skond il-metodu tat-tisħin.

Il-funzjonijiet ewlenin tas-susceptor tal-kanna epitassjali:

-Appoġġ tas-sottostrat: iżżomm b'mod sikur wejfers semikondutturi multipli;
-Sors tas-sħana: jipprovdi temperaturi għoljin meħtieġa għat-tkabbir permezz tat-tisħin;
-Uniformità tat-temperatura: tiżgura tisħin uniformi tas-sottostrati;
-Rotazzjoni: normalment iddur waqt it-tkabbir biex ittejjeb it-temperatura u l-uniformità tad-distribuzzjoni tal-gass.

Prinċipju ta' ħidma tas-susceptor tal-kanna tal-grafita Epi:
- Fir-reattur epitassjali, is-susceptor tal-kanna jissaħħan għat-temperatura meħtieġa (tipikament 1000℃-1200℃ għal epitassi tas-silikon);
-Is-susceptor tal-kanna jdur biex jiżgura distribuzzjoni uniformi tat-temperatura u fluss tal-gass;
-Gassijiet ta 'reazzjoni jiddekomponu f'temperaturi għoljin, li jiffurmaw saffi epitassjali fuq il-wiċċ tas-sottostrat.

Applikazzjonijiet:
-Primarjament użat għat-tkabbir epitassjali tas-silikon
-Applikabbli wkoll għal epitassi ta 'materjali semikondutturi oħra bħal GaAs, InP, eċċ.

L-Enerġija VET tuża grafita ta 'purità għolja b'kisja CVD-SiC biex ittejjeb l-istabbiltà kimika:

Il-vantaġġi ta 'VET Energy Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor:

-Stabbiltà fit-temperatura għolja;
-Uniformità termali tajba;
-Jistgħu jipproċessaw substrati multipli simultanjament, ittejjeb l-effiċjenza tal-produzzjoni;
-Kimikament inerti, iż-żamma ta 'ambjent ta' tkabbir ta 'purità għolja.