Kami tahu bahawa kami hanya berkembang maju jika kami boleh menjamin daya saing harga gabungan kami dan kualiti berfaedah pada masa yang sama untuk Pembekal Teratas Grey Black Silicon Carbide Sic Carborundum China High Purity, Kami mengalu-alukan pelanggan baru dan terdahulu dari semua lapisan masyarakat untuk bercakap dengan kami untuk perhubungan organisasi masa hadapan yang boleh dijangka dan memperoleh pencapaian bersama!
Kami tahu bahawa kami hanya berkembang maju jika kami dapat menjamin daya saing harga gabungan kami dan kualiti yang berfaedah pada masa yang sama untukBahan Salutan China, Titanium Dioksida, Syarikat kami menjunjung semangat "inovasi, keharmonian, kerja berpasukan dan perkongsian, jejak, kemajuan pragmatik". Beri kami peluang dan kami akan membuktikan kemampuan kami. Dengan bantuan baik anda, kami percaya bahawa kami boleh mencipta masa depan yang cerah bersama anda.
Karbon / komposit karbon(selepas ini dirujuk sebagai “C / C atau CFC”) ialah sejenis bahan komposit yang berasaskan karbon dan diperkukuh oleh gentian karbon dan produknya (preform gentian karbon). Ia mempunyai kedua-dua inersia karbon dan kekuatan tinggi gentian karbon. Ia mempunyai sifat mekanikal yang baik, rintangan haba, rintangan kakisan, redaman geseran dan ciri kekonduksian haba dan elektrik
CVD-SiCsalutan mempunyai ciri-ciri struktur seragam, bahan padat, rintangan suhu tinggi, rintangan pengoksidaan, ketulenan tinggi, rintangan asid&alkali dan reagen organik, dengan sifat fizikal dan kimia yang stabil.
Berbanding dengan bahan grafit ketulenan tinggi, grafit mula teroksida pada 400C, yang akan menyebabkan kehilangan serbuk akibat pengoksidaan, mengakibatkan pencemaran alam sekitar kepada peranti persisian dan ruang vakum, dan meningkatkan kekotoran persekitaran ketulenan tinggi.
Walau bagaimanapun, salutan SiC boleh mengekalkan kestabilan fizikal dan kimia pada 1600 darjah, Ia digunakan secara meluas dalam industri moden, terutamanya dalam industri semikonduktor.
Syarikat kami menyediakan perkhidmatan proses salutan SiC melalui kaedah CVD pada permukaan grafit, seramik dan bahan lain, supaya gas khas yang mengandungi karbon dan silikon bertindak balas pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC ketulenan tinggi, molekul yang dimendapkan pada permukaan bahan bersalut, membentuk lapisan pelindung SIC. SIC yang terbentuk diikat dengan kuat pada asas grafit, memberikan sifat istimewa asas grafit, dengan itu menjadikan permukaan grafit padat, Bebas Poros, rintangan suhu tinggi, rintangan kakisan dan rintangan pengoksidaan.
Ciri-ciri utama:
1. Rintangan pengoksidaan suhu tinggi:
rintangan pengoksidaan masih sangat baik apabila suhu setinggi 1600 C.
2. Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.
3. Rintangan hakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat, zarah halus.
4. Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.
Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Ketumpatan | (g/cc)
| 3.21 |
| Kekuatan lentur | (Mpa)
| 470 |
| Pengembangan terma | (10-6/K) | 4
|
| Kekonduksian terma | (W/mK) | 300
|
