Sesendal Seramik Silikon Karbida Tersinter SiC

SiC Sintered Silicon Carbide Ceramic Bushing Imej Pilihan

Penerangan ringkas:

Komposisi Kimia: Silikon Karbida

Kekerasan: ≥110 HS

Ketumpatan:3.10-3.15 g/cm3

Kekuatan lenturan:>350MPa

Kekonduksian terma:>120

Hantar e-mel kepada kami Muat turun sebagai PDF

Butiran Produk

Tag Produk

Sesendal Seramik Silikon Karbida Tersinter

Silikon karbida tersinter tanpa tekanan (SSIC)dihasilkan menggunakan serbuk SiC yang sangat halus yang mengandungi bahan tambahan pensinteran. Ia diproses menggunakan kaedah membentuk tipikal untuk seramik lain dan disinter pada 2,000 hingga 2,200° C dalam suasana gas lengai. Serta versi berbutir halus, dengan saiz butiran < 5 um, versi berbutir kasar dengan saiz butiran sehingga 1.5 mm tersedia.

SSIC dibezakan oleh kekuatan tinggi yang kekal hampir malar sehingga suhu yang sangat tinggi (kira-kira 1,600° C), mengekalkan kekuatan itu dalam tempoh yang lama!

Kelebihan produk:

Rintangan pengoksidaan suhu tinggi

Rintangan kakisan yang sangat baik

Rintangan lelasan yang baik

Pekali kekonduksian haba yang tinggi
Pelinciran sendiri, ketumpatan rendah
Kekerasan yang tinggi
Reka bentuk tersuai.

Sifat teknikal:

barang	Unit	Data
Kekerasan	HS	≥110
Kadar Keliangan	%	<0.3
Ketumpatan	g/cm3	3.10-3.15
Mampat	MPa	>2200
Kekuatan Fraktur	MPa	>350
Pekali pengembangan	10/°C	4.0
Kandungan Sic	%	≥99
Kekonduksian terma	W/mk	>120
Modulus Elastik	GPa	≥400
Suhu	°C	1380