Kami mempunyai pasukan jualan kami sendiri, pasukan reka bentuk, pasukan teknikal, pasukan QC dan pasukan pakej. Kami mempunyai prosedur kawalan kualiti yang ketat untuk setiap proses. Selain itu, semua pekerja kami berpengalaman dalam bidang percetakan untuk Harga Dipetik untuk China High Temperature Resistance Green Silicon Carbide Abrasive Powder Serbuk Penggilap Silikon Karbida Hitam, Faedah dan kepuasan pelanggan biasanya merupakan niat terbesar kami. Ingat untuk berhubung dengan kami. Beri kami kebarangkalian, berikan anda kejutan.
Kami mempunyai pasukan jualan kami sendiri, pasukan reka bentuk, pasukan teknikal, pasukan QC dan pasukan pakej. Kami mempunyai prosedur kawalan kualiti yang ketat untuk setiap proses. Juga, semua pekerja kami berpengalaman dalam bidang percetakan untukChina Silicon Carbide, Sic, Apakah harga yang baik? Kami memberi pelanggan dengan harga kilang. Dalam premis kualiti yang baik, kecekapan harus diberi perhatian dan mengekalkan keuntungan rendah dan sihat yang sesuai. Apakah penghantaran yang cepat? Kami membuat penghantaran mengikut kehendak pelanggan. Walaupun masa penghantaran bergantung pada kuantiti pesanan dan kerumitannya, kami masih cuba membekalkan produk dan penyelesaian tepat pada masanya. Sangat berharap kami boleh mempunyai hubungan perniagaan jangka panjang.
Penerangan Produk
Syarikat kami menyediakan perkhidmatan proses salutan SiC melalui kaedah CVD pada permukaan grafit, seramik dan bahan lain, supaya gas khas yang mengandungi karbon dan silikon bertindak balas pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC ketulenan tinggi, molekul yang dimendapkan pada permukaan bahan bersalut, membentuk lapisan pelindung SIC.
Ciri-ciri utama:
1. Rintangan pengoksidaan suhu tinggi: rintangan pengoksidaan masih sangat baik apabila suhu setinggi 1600 C.
2. Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.
3. Rintangan hakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat, zarah halus.
4. Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.
Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC
Sifat SiC-CVD | ||
Struktur Kristal | Fasa FCC β | |
Ketumpatan | g/cm ³ | 3.21 |
Kekerasan | Kekerasan Vickers | 2500 |
Saiz Bijirin | μm | 2~10 |
Ketulenan Kimia | % | 99.99995 |
Kapasiti Haba | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
Suhu Sublimasi | ℃ | 2700 |
Kekuatan Feleksural | MPa (RT 4 mata) | 415 |
Modulus Muda | Gpa (4pt selekoh, 1300℃) | 430 |
Pengembangan Terma (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Kekonduksian terma | (W/mK) | 300 |