Dulang Pemuatan PECVD Dulang Pemendapan Grafit

PECVD Memuatkan Dulang Pemendapan Graphite Tray Imej Ditampilkan

Penerangan ringkas:

Dulang Pemuatan PECVD VET Energy direka untuk menyediakan sokongan yang selamat dan sekata untuk wafer semasa pemendapan, meningkatkan ketekalan dan kualiti proses pemendapan. Dengan rintangan haba yang sangat baik, Graphite Tray membantu mengekalkan persekitaran terkawal di dalam ruang PECVD, mengurangkan risiko pencemaran dan memastikan kecekapan proses yang tinggi.

Hantar e-mel kepada kami Muat turun sebagai PDF

Butiran Produk

Tag Produk

Dulang pemuatan PECVD Tenaga VET ialah pembawa ketepatan yang direka untuk proses PECVD (pemendapan wap kimia dipertingkatkan plasma). Dulang grafit pemendapan berkualiti tinggi ini diperbuat daripada bahan grafit berketumpatan tinggi ketulenan tinggi. Ia mempunyai rintangan suhu tinggi yang sangat baik, rintangan kakisan, kestabilan dimensi dan ciri-ciri lain. Ia boleh menyediakan platform pembawa yang stabil untuk proses PECVD dan memastikan keseragaman dan kerataan pemendapan filem.

Dulang pemuatan VET Energy PECVD digunakan secara meluas dalam semikonduktor, fotovoltaik, LED dan medan lain. Contohnya:

▪ Semikonduktor: Proses PECVD untuk bahan semikonduktor seperti wafer silikon dan wafer epitaxial.

▪ Fotovoltaik: Proses PECVD untuk filem nipis sel solar.

▪ LED: Proses PECVD untuk cip LED.

Kelebihan Produk

▪Meningkatkan kualiti filem:Pastikan pemendapan filem seragam dan tingkatkan kualiti filem.

▪Memanjangkan hayat peralatan:Rintangan kakisan yang sangat baik, memanjangkan hayat perkhidmatan peralatan PECVD.

▪Kurangkan kos pengeluaran:Dulang grafit berkualiti tinggi boleh mengurangkan kadar sekerap dan mengurangkan kos pengeluaran.

Bahan grafit dari SGL:

Parameter biasa: R6510
Indeks	Standard ujian	Nilai	Unit
Saiz bijian purata	ISO 13320	10	μm
Ketumpatan pukal	DIN IEC 60413/204	1.83	g/cm³
Keliangan terbuka	DIN66133	10	%
Saiz pori sederhana	DIN66133	1.8	μm
Kebolehtelapan	DIN 51935	0.06	cm²/s
Kekerasan Rockwell HR5/100	DIN IEC60413/303	90	HR
Kerintangan elektrik tertentu	DIN IEC 60413/402	13	μΩm
Kekuatan lentur	DIN IEC 60413/501	60	MPa
Kekuatan mampatan	DIN 51910	130	MPa
Modulus Young	DIN 51915	11.5×10³	MPa
Pengembangan terma (20-200 ℃)	DIN 51909	4.2X10^-6	K^-1
Kekonduksian terma (20 ℃)	DIN 51908	105	Wm^-1K^-1

Ia direka khusus untuk pembuatan sel suria berkecekapan tinggi, menyokong pemprosesan wafer bersaiz besar G12. Reka bentuk pembawa yang dioptimumkan dengan ketara meningkatkan daya pengeluaran, membolehkan kadar hasil yang lebih tinggi dan kos pengeluaran yang lebih rendah.

item	taip	Pembawa wafer nombor
Bot Grephite PEVCD - Siri 156	156-13 bot grephite	144
	156-19 bot grephite	216
	156-21 bot grephite	240
	156-23 bot grafit	308
Bot Grephite PEVCD - Siri 125	125-15 bot grephite	196
	125-19 bot grephite	252
	125-21 bot gripit	280