Berita

Apakah kecacatan lapisan epitaxial silikon karbida
oleh admin pada 24-06-05
Teknologi teras untuk pertumbuhan bahan epitaxial SiC ialah pertamanya teknologi kawalan kecacatan, terutamanya untuk teknologi kawalan kecacatan yang terdedah kepada kegagalan peranti atau kemerosotan kebolehpercayaan. Kajian tentang mekanisme kecacatan substrat yang meluas ke epi...
Baca lagi
Bijirin berdiri teroksida dan teknologi pertumbuhan epitaxial-Ⅱ
oleh admin pada 24-05-30
2. Pertumbuhan filem nipis epitaxial Substrat menyediakan lapisan sokongan fizikal atau lapisan konduktif untuk peranti kuasa Ga2O3. Lapisan penting seterusnya ialah lapisan saluran atau lapisan epitaxial yang digunakan untuk rintangan voltan dan pengangkutan pembawa. Untuk meningkatkan voltan kerosakan dan meminimumkan...
Baca lagi
Kristal tunggal galium oksida dan teknologi pertumbuhan epitaxial
oleh admin pada 24-05-30
Semikonduktor celah jalur lebar (WBG) yang diwakili oleh silikon karbida (SiC) dan galium nitrida (GaN) telah mendapat perhatian yang meluas. Orang ramai mempunyai jangkaan yang tinggi untuk prospek penggunaan silikon karbida dalam kenderaan elektrik dan grid kuasa, serta prospek penggunaan galium...
Baca lagi
Apakah halangan teknikal kepada silikon karbida?Ⅱ
oleh admin pada 24-05-22
Kesukaran teknikal dalam menghasilkan wafer silikon karbida berkualiti tinggi secara stabil dengan prestasi yang stabil termasuk: 1) Memandangkan kristal perlu berkembang dalam persekitaran tertutup suhu tinggi melebihi 2000°C, keperluan kawalan suhu adalah sangat tinggi; 2) Oleh kerana silikon karbida mempunyai ...
Baca lagi
Apakah halangan teknikal kepada silikon karbida?
oleh admin pada 24-05-22
Bahan semikonduktor generasi pertama diwakili oleh silikon tradisional (Si) dan germanium (Ge), yang merupakan asas untuk pembuatan litar bersepadu. Ia digunakan secara meluas dalam transistor dan pengesan voltan rendah, frekuensi rendah dan kuasa rendah. Lebih daripada 90% produk semikonduktor...
Baca lagi
Bagaimanakah serbuk mikro SiC dibuat?
oleh admin pada 24-05-13
Kristal tunggal SiC ialah bahan semikonduktor sebatian Kumpulan IV-IV yang terdiri daripada dua unsur, Si dan C, dalam nisbah stoikiometri 1:1. Kekerasannya adalah yang kedua selepas berlian. Pengurangan karbon kaedah silikon oksida untuk menyediakan SiC adalah berdasarkan formula tindak balas kimia berikut...
Baca lagi
Bagaimanakah lapisan epitaxial membantu peranti semikonduktor?
oleh admin pada 24-05-13
Asal usul nama wafer epitaxial Pertama, mari popularkan konsep kecil: penyediaan wafer merangkumi dua pautan utama: penyediaan substrat dan proses epitaxial. Substrat adalah wafer yang diperbuat daripada bahan kristal tunggal semikonduktor. Substrat boleh terus memasuki pembuatan wafer...
Baca lagi
Pengenalan kepada teknologi pemendapan filem nipis wap kimia (CVD).
oleh admin pada 24-05-06
Pemendapan Wap Kimia (CVD) ialah teknologi pemendapan filem nipis yang penting, sering digunakan untuk menyediakan pelbagai filem berfungsi dan bahan lapisan nipis, dan digunakan secara meluas dalam pembuatan semikonduktor dan bidang lain. 1. Prinsip kerja CVD Dalam proses CVD, prekursor gas (satu atau...
Baca lagi
Rahsia "emas hitam" di sebalik industri semikonduktor fotovoltaik: keinginan dan pergantungan pada grafit isostatik
oleh admin pada 24-05-06
Grafit isostatik adalah bahan yang sangat penting dalam fotovoltaik dan semikonduktor. Dengan peningkatan pesat syarikat grafit isostatik domestik, monopoli syarikat asing di China telah dipecahkan. Dengan penyelidikan dan pembangunan bebas yang berterusan serta penemuan teknologi, ...
Baca lagi