Mematuhi teori "kualiti, perkhidmatan, prestasi dan pertumbuhan", kami telah menerima kepercayaan dan pujian daripada pembeli domestik dan seluruh dunia untuk Sijil IOS China 99.5%Sasaran Seramik SicSasaran Sputtering Silicon Carbide untuk Salutan, Objektif utama kami adalah untuk menyediakan pelanggan kami di seluruh dunia dengan kualiti yang baik, harga yang kompetitif, penghantaran yang berpuas hati dan perkhidmatan yang cemerlang.
Berpegang kepada teori "kualiti, perkhidmatan, prestasi dan pertumbuhan", kami telah menerima kepercayaan dan pujian daripada pembeli domestik dan seluruh dunia untukChina Silicon Carbide Sputtering Sasaran, Sasaran Seramik Sic, Kami kini mempunyai sistem kawalan kualiti yang ketat dan lengkap, yang memastikan setiap produk dapat memenuhi keperluan kualiti pelanggan. Selain itu, semua barangan kami telah diperiksa dengan ketat sebelum penghantaran.
Karbon / komposit karbon(selepas ini dirujuk sebagai “C / C atau CFC”) ialah sejenis bahan komposit yang berasaskan karbon dan diperkukuh oleh gentian karbon dan produknya (preform gentian karbon). Ia mempunyai kedua-dua inersia karbon dan kekuatan tinggi gentian karbon. Ia mempunyai sifat mekanikal yang baik, rintangan haba, rintangan kakisan, redaman geseran dan ciri kekonduksian haba dan elektrik
CVD-SiCsalutan mempunyai ciri-ciri struktur seragam, bahan padat, rintangan suhu tinggi, rintangan pengoksidaan, ketulenan tinggi, rintangan asid&alkali dan reagen organik, dengan sifat fizikal dan kimia yang stabil.
Berbanding dengan bahan grafit ketulenan tinggi, grafit mula teroksida pada 400C, yang akan menyebabkan kehilangan serbuk akibat pengoksidaan, mengakibatkan pencemaran alam sekitar kepada peranti persisian dan ruang vakum, dan meningkatkan kekotoran persekitaran ketulenan tinggi.
Walau bagaimanapun, salutan SiC boleh mengekalkan kestabilan fizikal dan kimia pada 1600 darjah, Ia digunakan secara meluas dalam industri moden, terutamanya dalam industri semikonduktor.
Syarikat kami menyediakan perkhidmatan proses salutan SiC melalui kaedah CVD pada permukaan grafit, seramik dan bahan lain, supaya gas khas yang mengandungi karbon dan silikon bertindak balas pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC ketulenan tinggi, molekul yang dimendapkan pada permukaan bahan bersalut, membentuk lapisan pelindung SIC. SIC yang terbentuk diikat dengan kuat pada asas grafit, memberikan sifat istimewa asas grafit, dengan itu menjadikan permukaan grafit padat, Bebas Poros, rintangan suhu tinggi, rintangan kakisan dan rintangan pengoksidaan.
Ciri-ciri utama:
1. Rintangan pengoksidaan suhu tinggi:
rintangan pengoksidaan masih sangat baik apabila suhu setinggi 1600 C.
2. Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.
3. Rintangan hakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat, zarah halus.
4. Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.
Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Ketumpatan | (g/cc)
| 3.21 |
| Kekuatan lentur | (Mpa)
| 470 |
| Pengembangan terma | (10-6/K) | 4
|
| Kekonduksian terma | (W/mK) | 300
|
