Wafer SOI 12 inci

Penerangan ringkas:

Alami inovasi yang tidak pernah terjadi sebelum ini dengan Wafer SOI 12 Inch yang canggih, keajaiban teknologi yang dibawakan kepada anda oleh VET Energy dengan bangganya. Dicipta dengan ketepatan dan kepakaran, wafer Silicon-On-Insulator ini mentakrifkan semula piawaian industri, menawarkan kualiti dan prestasi yang tiada tandingan.

Hantar e-mel kepada kami Muat turun sebagai PDF

Butiran Produk

Tag Produk

Wafer SOI 12-inci VET Energy ialah bahan substrat semikonduktor berprestasi tinggi, yang sangat digemari kerana sifat elektrik yang sangat baik dan struktur uniknya. VET Energy menggunakan proses pembuatan wafer SOI termaju untuk memastikan bahawa wafer mempunyai arus bocor yang sangat rendah, kelajuan tinggi dan rintangan sinaran, menyediakan asas yang kukuh untuk litar bersepadu berprestasi tinggi anda.

Barisan produk VET Energy tidak terhad kepada wafer SOI. Kami juga menyediakan pelbagai jenis bahan substrat semikonduktor, termasuk Wafer Si, Substrat SiC, Substrat SiN, Wafer Epi, dll., serta bahan semikonduktor celah jalur lebar baharu seperti Gallium Oxide Ga2O3 dan Wafer AlN. Produk ini boleh memenuhi keperluan aplikasi pelanggan yang berbeza dalam elektronik kuasa, RF, penderia dan bidang lain.

Memfokuskan pada kecemerlangan, wafer SOI kami juga menggunakan bahan termaju seperti galium oksida Ga2O3, kaset dan wafer AlN untuk memastikan kebolehpercayaan dan kecekapan pada setiap peringkat operasi. Percayai VET Energy untuk menyediakan penyelesaian termaju yang membuka jalan kepada kemajuan teknologi.

Serlahkan potensi projek anda dengan prestasi unggul wafer SOI 12-inci VET Energy. Tingkatkan keupayaan inovasi anda dengan wafer yang merangkumi kualiti, ketepatan dan inovasi, meletakkan asas kejayaan dalam bidang dinamik teknologi semikonduktor. Pilih VET Energy untuk penyelesaian wafer SOI premium yang melebihi jangkaan.

SPESIFIKASI WAFERING

*n-Pm=n-jenis Pm-Gred,n-Ps=n-jenis Ps-Gred,Sl=Separa penebat

item	8-inci	6-inci			4-inci
item	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Bow(GF3YFCD)-Nilai Mutlak	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Tepi Wafer	Beveling

KEMASAN PERMUKAAN

*n-Pm=n-jenis Pm-Gred,n-Ps=n-jenis Ps-Gred,Sl=Separa penebat

item	8-inci	6-inci			4-inci
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Kemasan Permukaan	Penggilap Optik sisi dua, Si- Muka CMP
Kekasaran Permukaan	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Muka Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Kerepek Tepi	Tiada Dibenarkan (panjang dan lebar≥0.5mm)
Inden	Tiada Dibenarkan
Calar (Si-Muka)	Kuantiti.≤5,Kumulatif Panjang≤0.5×diameter wafer	Kuantiti.≤5,Kumulatif Panjang≤0.5×diameter wafer			Kuantiti.≤5,Kumulatif Panjang≤0.5×diameter wafer
retak	Tiada Dibenarkan
Pengecualian Edge	3mm