SiC coated suscetpor हा एक प्रमुख घटक आहे जो विविध सेमीकंडक्टर उत्पादन प्रक्रियेमध्ये वापरला जातो. आम्ही आमच्या पेटंट तंत्रज्ञानाचा वापर अत्यंत उच्च शुद्धता, चांगली कोटिंग एकसमानता आणि उत्कृष्ट सेवा जीवन, तसेच उच्च रासायनिक प्रतिरोधकता आणि थर्मल स्थिरता गुणधर्मांसह SiC कोटेड ससेटपोर बनवण्यासाठी करतो.
आमच्या उत्पादनांची वैशिष्ट्ये:
1. 1700℃ पर्यंत उच्च तापमान ऑक्सिडेशन प्रतिकार.
2. उच्च शुद्धता आणि थर्मल एकरूपता
3. उत्कृष्ट गंज प्रतिकार: आम्ल, अल्कली, मीठ आणि सेंद्रिय अभिकर्मक.
4. उच्च कडकपणा, कॉम्पॅक्ट पृष्ठभाग, सूक्ष्म कण.
5. दीर्घ सेवा जीवन आणि अधिक टिकाऊ
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC चे मूलभूत भौतिक गुणधर्मकोटिंग | |
| 性质 / मालमत्ता | 典型数值 / ठराविक मूल्य |
| 晶体结构 / क्रिस्टल स्ट्रक्चर | FCC β फेज多晶, 主要为 (111）取向 |
| 密度 / घनता | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / कडकपणा | 2500 维氏硬度（500g लोड） |
| 晶粒大小 / धान्य आकार | 2~10μm |
| 纯度 / रासायनिक शुद्धता | 99.99995% |
| 热容 / उष्णता क्षमता | 640 J·kg-1· के-1 |
| 升华温度 / उदात्तीकरण तापमान | 2700℃ |
| 抗弯强度 / फ्लेक्सरल स्ट्रेंथ | 415 MPa RT 4-पॉइंट |
| 杨氏模量 / तरुणांचे मॉड्यूलस | 430 Gpa 4pt बेंड, 1300℃ |
| 导热系数 / थर्माlचालकता | 300W·m-1· के-1 |
| 热膨胀系数 / थर्मल विस्तार (CTE) | ४.५×१०-6K-1 |
आमच्या कारखान्याला भेट देण्यासाठी तुमचे हार्दिक स्वागत आहे, चला पुढील चर्चा करूया!
