SiC लेपित ग्रेफाइट हाफमून भागis a कीसेमीकंडक्टर उत्पादन प्रक्रियेत वापरलेला घटक, विशेषत: SiC एपिटॅक्सियल उपकरणांसाठी.अर्धचंद्राचा भाग बनवण्यासाठी आम्ही आमचे पेटंट तंत्रज्ञान वापरतोअत्यंत उच्च शुद्धता,चांगलेकोटिंगएकसमानताआणि उत्कृष्ट सेवा जीवन, तसेचउच्च रासायनिक प्रतिकार आणि थर्मल स्थिरता गुणधर्म.
VET ऊर्जा आहे दसीव्हीडी कोटिंगसह सानुकूलित ग्रेफाइट आणि सिलिकॉन कार्बाइड उत्पादनांचे वास्तविक निर्माता,पुरवठा करू शकतोविविधसेमीकंडक्टर आणि फोटोव्होल्टेइक उद्योगासाठी सानुकूलित भाग. Oतुमची तांत्रिक टीम शीर्ष देशांतर्गत संशोधन संस्थांमधून येते, अधिक व्यावसायिक साहित्य समाधान देऊ शकतेतुमच्यासाठी
अधिक प्रगत साहित्य प्रदान करण्यासाठी आम्ही सतत प्रगत प्रक्रिया विकसित करतो,आणिएक विशेष पेटंट तंत्रज्ञान तयार केले आहे, जे कोटिंग आणि सब्सट्रेट यांच्यातील संबंध अधिक घट्ट करू शकते आणि अलिप्तपणाला कमी प्रवण बनवू शकते.
Fआमच्या उत्पादनांचे खाणे:
1. 1700 पर्यंत उच्च तापमान ऑक्सिडेशन प्रतिरोध℃.
2. उच्च शुद्धता आणिथर्मल एकरूपता
3. उत्कृष्ट गंज प्रतिकार: आम्ल, अल्कली, मीठ आणि सेंद्रिय अभिकर्मक.
4. उच्च कडकपणा, कॉम्पॅक्ट पृष्ठभाग, सूक्ष्म कण.
5. दीर्घ सेवा जीवन आणि अधिक टिकाऊ
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC चे मूलभूत भौतिक गुणधर्मकोटिंग | |
| 性质 / मालमत्ता | 典型数值 / ठराविक मूल्य |
| 晶体结构 / क्रिस्टल स्ट्रक्चर | FCC β फेज多晶, 主要为 (111）取向 |
| 密度 / घनता | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / कडकपणा | 2500 维氏硬度（500g लोड） |
| 晶粒大小 / धान्य आकार | 2~10μm |
| 纯度 / रासायनिक शुद्धता | 99.99995% |
| 热容 / उष्णता क्षमता | 640 J·kg-1· के-1 |
| 升华温度 / उदात्तीकरण तापमान | 2700℃ |
| 抗弯强度 / फ्लेक्सरल स्ट्रेंथ | 415 MPa RT 4-पॉइंट |
| 杨氏模量 / तरुणांचे मॉड्यूलस | 430 Gpa 4pt बेंड, 1300℃ |
| 导热系数 / थर्माlचालकता | 300W·m-1· के-1 |
| 热膨胀系数 / थर्मल विस्तार (CTE) | ४.५×१०-6K-1 |
आमच्या कारखान्याला भेट देण्यासाठी तुमचे हार्दिक स्वागत आहे, चला पुढील चर्चा करूया!
