വാർത്ത

സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പാളിയുടെ തകരാറുകൾ എന്തൊക്കെയാണ്
24-06-05-ന് അഡ്മിൻ
SiC എപ്പിറ്റാക്സിയൽ മെറ്റീരിയലുകളുടെ വളർച്ചയ്ക്കുള്ള പ്രധാന സാങ്കേതികവിദ്യ ആദ്യം വൈകല്യ നിയന്ത്രണ സാങ്കേതികവിദ്യയാണ്, പ്രത്യേകിച്ച് ഉപകരണത്തിൻ്റെ തകരാർ അല്ലെങ്കിൽ വിശ്വാസ്യത തകർച്ചയ്ക്ക് സാധ്യതയുള്ള വൈകല്യ നിയന്ത്രണ സാങ്കേതികവിദ്യയ്ക്ക്. എപ്പിയിലേക്ക് വ്യാപിക്കുന്ന അടിവസ്ത്ര വൈകല്യങ്ങളുടെ സംവിധാനത്തെക്കുറിച്ചുള്ള പഠനം...
കൂടുതൽ വായിക്കുക
ഓക്സിഡൈസ്ഡ് സ്റ്റാൻഡിംഗ് ഗ്രെയിൻ ആൻഡ് എപ്പിറ്റാക്സിയൽ ഗ്രോത്ത് ടെക്നോളജി-Ⅱ
24-05-30-ന് അഡ്മിൻ
2. എപ്പിറ്റാക്സിയൽ നേർത്ത ഫിലിം വളർച്ച Ga2O3 പവർ ഉപകരണങ്ങൾക്കായി സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് ഒരു ഫിസിക്കൽ സപ്പോർട്ട് ലെയർ അല്ലെങ്കിൽ ചാലക പാളി നൽകുന്നു. വോൾട്ടേജ് പ്രതിരോധത്തിനും കാരിയർ ഗതാഗതത്തിനും ഉപയോഗിക്കുന്ന ചാനൽ പാളി അല്ലെങ്കിൽ എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പാളിയാണ് അടുത്ത പ്രധാന പാളി. ബ്രേക്ക്‌ഡൌൺ വോൾട്ടേജ് വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നതിനും കോൺ കുറയ്ക്കുന്നതിനും...
കൂടുതൽ വായിക്കുക
ഗാലിയം ഓക്സൈഡ് സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ, എപ്പിറ്റാക്സിയൽ വളർച്ചാ സാങ്കേതികവിദ്യ
24-05-30-ന് അഡ്മിൻ
സിലിക്കൺ കാർബൈഡും (SiC), ഗാലിയം നൈട്രൈഡും (GaN) പ്രതിനിധീകരിക്കുന്ന വൈഡ് ബാൻഡ്‌ഗാപ്പ് (WBG) അർദ്ധചാലകങ്ങൾ വ്യാപകമായ ശ്രദ്ധ നേടിയിട്ടുണ്ട്. ഇലക്ട്രിക് വാഹനങ്ങളിലും പവർ ഗ്രിഡുകളിലും സിലിക്കൺ കാർബൈഡിൻ്റെ പ്രയോഗ സാധ്യതകൾക്കും ഗാലിയത്തിൻ്റെ പ്രയോഗ സാധ്യതകൾക്കും ആളുകൾക്ക് വലിയ പ്രതീക്ഷകളുണ്ട്...
കൂടുതൽ വായിക്കുക
സിലിക്കൺ കാർബൈഡിനുള്ള സാങ്കേതിക തടസ്സങ്ങൾ എന്തൊക്കെയാണ്?Ⅱ
24-05-22-ന് അഡ്മിൻ
സുസ്ഥിരമായ പ്രവർത്തനക്ഷമതയുള്ള ഉയർന്ന നിലവാരമുള്ള സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് വേഫറുകൾ വൻതോതിൽ ഉൽപ്പാദിപ്പിക്കുന്നതിലെ സാങ്കേതിക ബുദ്ധിമുട്ടുകൾ ഇവയാണ്: 1) 2000°C-ന് മുകളിലുള്ള ഉയർന്ന താപനിലയിൽ അടച്ച അന്തരീക്ഷത്തിൽ പരലുകൾ വളരേണ്ടതിനാൽ, താപനില നിയന്ത്രണ ആവശ്യകതകൾ വളരെ ഉയർന്നതാണ്; 2) സിലിക്കൺ കാർബൈഡിന് ഉള്ളതിനാൽ ...
കൂടുതൽ വായിക്കുക
സിലിക്കൺ കാർബൈഡിന് സാങ്കേതിക തടസ്സങ്ങൾ എന്തൊക്കെയാണ്?
24-05-22-ന് അഡ്മിൻ
അർദ്ധചാലക സാമഗ്രികളുടെ ആദ്യ തലമുറയെ പരമ്പരാഗത സിലിക്കൺ (Si), ജെർമേനിയം (Ge) എന്നിവ പ്രതിനിധീകരിക്കുന്നു, അവ ഇൻ്റഗ്രേറ്റഡ് സർക്യൂട്ട് നിർമ്മാണത്തിൻ്റെ അടിസ്ഥാനമാണ്. ലോ-വോൾട്ടേജ്, ലോ-ഫ്രീക്വൻസി, ലോ-പവർ ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളിലും ഡിറ്റക്ടറുകളിലും അവ വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു. അർദ്ധചാലക ഉൽപന്നത്തിൻ്റെ 90 ശതമാനത്തിലധികം...
കൂടുതൽ വായിക്കുക
എങ്ങനെയാണ് SiC മൈക്രോ പൗഡർ നിർമ്മിക്കുന്നത്?
24-05-13-ന് അഡ്മിൻ മുഖേന
SiC സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ എന്നത് 1:1 എന്ന സ്റ്റോയ്ചിയോമെട്രിക് അനുപാതത്തിൽ Si, C എന്നീ രണ്ട് മൂലകങ്ങൾ ചേർന്ന ഒരു ഗ്രൂപ്പ് IV-IV സംയുക്ത അർദ്ധചാലക വസ്തുവാണ്. അതിൻ്റെ കാഠിന്യം വജ്രത്തിന് തൊട്ടുപിന്നാലെയാണ്. SiC തയ്യാറാക്കുന്നതിനുള്ള സിലിക്കൺ ഓക്സൈഡ് രീതിയുടെ കാർബൺ കുറയ്ക്കൽ പ്രധാനമായും ഇനിപ്പറയുന്ന രാസപ്രവർത്തന ഫോർമുലയെ അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ളതാണ്...
കൂടുതൽ വായിക്കുക
എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പാളികൾ അർദ്ധചാലക ഉപകരണങ്ങളെ എങ്ങനെ സഹായിക്കുന്നു?
24-05-13-ന് അഡ്മിൻ മുഖേന
എപ്പിറ്റാക്സിയൽ വേഫർ എന്ന പേരിൻ്റെ ഉത്ഭവം ആദ്യം, നമുക്ക് ഒരു ചെറിയ ആശയം ജനകീയമാക്കാം: വേഫർ തയ്യാറാക്കലിൽ രണ്ട് പ്രധാന ലിങ്കുകൾ ഉൾപ്പെടുന്നു: സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് തയ്യാറാക്കലും എപ്പിടാക്‌സിയൽ പ്രക്രിയയും. അർദ്ധചാലക സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ മെറ്റീരിയൽ കൊണ്ട് നിർമ്മിച്ച ഒരു വേഫറാണ് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ്. അടിവസ്ത്രത്തിന് നേരിട്ട് വേഫർ നിർമ്മാണത്തിലേക്ക് പ്രവേശിക്കാൻ കഴിയും ...
കൂടുതൽ വായിക്കുക
കെമിക്കൽ വേപ്പർ ഡിപ്പോസിഷൻ (സിവിഡി) തിൻ ഫിലിം ഡിപ്പോസിഷൻ ടെക്നോളജിയുടെ ആമുഖം
24-05-06-ന് അഡ്മിൻ
കെമിക്കൽ വേപ്പർ ഡിപ്പോസിഷൻ (സിവിഡി) ഒരു പ്രധാന നേർത്ത ഫിലിം ഡിപ്പോസിഷൻ സാങ്കേതികവിദ്യയാണ്, ഇത് പലപ്പോഴും വിവിധ ഫങ്ഷണൽ ഫിലിമുകളും നേർത്ത പാളികളും തയ്യാറാക്കാൻ ഉപയോഗിക്കുന്നു, അർദ്ധചാലക നിർമ്മാണത്തിലും മറ്റ് മേഖലകളിലും ഇത് വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു. 1. CVD യുടെ പ്രവർത്തന തത്വം CVD പ്രക്രിയയിൽ, ഒരു വാതക മുൻഗാമി (ഒന്ന് അല്ലെങ്കിൽ...
കൂടുതൽ വായിക്കുക
ഫോട്ടോവോൾട്ടെയ്ക് അർദ്ധചാലക വ്യവസായത്തിന് പിന്നിലെ "കറുത്ത സ്വർണ്ണം" രഹസ്യം: ഐസോസ്റ്റാറ്റിക് ഗ്രാഫൈറ്റിൻ്റെ ആഗ്രഹവും ആശ്രിതത്വവും
24-05-06-ന് അഡ്മിൻ
ഫോട്ടോവോൾട്ടെയ്‌ക്കുകളിലും അർദ്ധചാലകങ്ങളിലും ഐസോസ്റ്റാറ്റിക് ഗ്രാഫൈറ്റ് വളരെ പ്രധാനപ്പെട്ട ഒരു വസ്തുവാണ്. ആഭ്യന്തര ഐസോസ്റ്റാറ്റിക് ഗ്രാഫൈറ്റ് കമ്പനികളുടെ അതിവേഗ വളർച്ചയോടെ, ചൈനയിലെ വിദേശ കമ്പനികളുടെ കുത്തക തകർന്നു. തുടർച്ചയായ സ്വതന്ത്ര ഗവേഷണവും വികസനവും സാങ്കേതിക മുന്നേറ്റങ്ങളും കൊണ്ട്, ...
കൂടുതൽ വായിക്കുക