Ny singa grafita madio indrindra dia tena ilaina amin'nydingana amin'ny indostrian'ny semiconductor, LED ary solar. Ny tolotra ataonay dia manomboka amin'ny fitaovana fampiasa amin'ny graphite ho an'ny faritra mafana mihamitombo kristaly (heater, susceptors crucible, insulation), hatramin'ny singa graphite avo lenta ho an'ny fitaovana fanodinana wafer, toy ny susceptors graphite misy karbida silisiôna ho an'ny Epitaxy na MOCVD. Eto no misy ny grafita manokana ataontsika: ny graphite isostatic dia fototra amin'ny famokarana ireo sosona semiconductor mifangaro. Ireo dia novokarina tao amin'ny "faritra mafana" amin'ny hafanana tafahoatra mandritra ny dingana antsoina hoe epitaxy, na MOCVD. Ny mpitatitra mihodinkodina izay ametrahan'ny wafers ao amin'ny reactor, dia misy grafit isostatic misy karbida silisiôma. Io graphite tena madio sy homogene io ihany no mahafeno ny fepetra avo lenta amin'ny fizotran'ny coating.
TNy fitsipika fototra amin'ny fitomboan'ny wafer epitaxial LED dia: amin'ny substrate (indrindra safira, SiC ary Si) mafana amin'ny mari-pana mety, ny fitaovana entona InGaAlP dia entina mankany amin'ny substrate amin'ny fomba voafehy mba hampitombo sarimihetsika kristaly iray manokana. Amin'izao fotoana izao, ny teknolojian'ny fitomboan'ny LED epitaxial wafer dia mampiasa ny etona simika simika metaly organika.
LED epitaxial substrate fitaovanano vato fehizoron'ny fampandrosoana ara-teknolojia ny indostrian'ny jiro semiconductor. Ny fitaovana substrate samihafa dia mila teknolojia fitomboan'ny epitaxial wafer LED samihafa, teknolojia fanodinana chip ary teknolojia fonosana fitaovana. Ny fitaovana substrate dia mamaritra ny lalan'ny fampandrosoana ny teknolojian'ny jiro semiconductor.
Toetran'ny LED epitaxial wafer substrate fifantenana:
1. Ny fitaovana epitaxial dia manana rafitra kristaly mitovy na mitovitovy amin'ny substrate, tsy mifanentana amin'ny lattice kely, ny kristaly tsara ary ny hakitroky ambany.
2. Tsara interface tsara toetra, mahasoa ny nucleation ny epitaxial fitaovana sy mafy adhesion
3. Manana fitoniana simika tsara izy ary tsy mora simba sy manimba amin'ny hafanana sy ny atmosfera amin'ny fitomboan'ny epitaxial
4. Fampisehoana mafana tsara, ao anatin'izany ny conductivity mafana tsara sy ny tsy fitovian'ny hafanana ambany
5. Ny conductivity tsara, dia azo atao amin'ny rafitra ambony sy ambany 6, fampisehoana optika tsara, ary ny hazavana avoakan'ny fitaovana noforonina dia kely kokoa noho ny substrate.
7. Ny toetra mekanika tsara sy ny fanodinana mora amin'ny fitaovana, anisan'izany ny fanivanana, ny famolahana ary ny fanapahana
8. Vidiny ambany.
9. Habe lehibe. Amin'ny ankapobeny, ny savaivony dia tsy tokony ho latsaky ny 2 santimetatra.
10. Mora ny mahazo substrate endrika tsy tapaka (raha tsy misy fepetra manokana hafa), ary ny endriky ny substrate mitovy amin'ny lavaka misy ny fitaovana epitaxial dia tsy mora ny mamorona tsy ara-dalàna eddy ankehitriny, mba hisy fiantraikany amin'ny kalitaon'ny epitaxial.
11. Raha tsy misy fiantraikany amin'ny kalitaon'ny epitaxial, ny machinability ny substrate dia mahafeno ny fepetra takian'ny chip manaraka sy ny fanodinana fonosana araka izay azo atao.
Tena sarotra ny fifantenana ny substrate mba hihaona amin'ny lafiny iraika ambin'ny folo amin'ny fotoana iray ihany. Noho izany, amin'izao fotoana izao, dia tsy afaka mampifanaraka afa-tsy ny R&D sy ny famokarana semiconductor jiro-mitondra fitaovana amin'ny substrate samy hafa amin'ny alalan'ny fanovana ny epitaxial teknolojia fitomboana sy ny fanitsiana ny fitaovana fanodinana teknolojia. Betsaka ny akora substrate ho an'ny fikarohana gallium nitride, saingy tsy misy afa-tsy substrate roa azo ampiasaina amin'ny famokarana, dia ny safira Al2O3 sy ny karbida silisiôma.SiC substrates.
Fotoana fandefasana: Feb-28-2022