Avo madio 8 mirefy Silicon Wafer

Sarimihetsika Avo Indrindra 8 mirefy Silicon Wafer

Famaritana fohy:

Ny wafers silisiôma 8 santimetatra madio indrindra an'ny VET Energy no safidinao tsara indrindra amin'ny famokarana semiconductor. Namboarina tamin'ny teknolojia avo lenta, ireo wafers ireo dia manana kalitao kristaly tsara sy fisaka ambonin'ny tany, ka mahatonga azy ireo ho mety amin'ny fanamboarana fitaovana microelectronic isan-karazany.

Alefaso mailaka aminay Alefaso amin'ny PDF

Product Detail

Tags vokatra

Ny VET Energy's 8-inch silicon wafers dia ampiasaina betsaka amin'ny elektronika herinaratra, sensor, circuit integrated ary sehatra hafa. Amin'ny maha-mpitarika ny indostrian'ny semiconductor, dia manolo-tena hanome vokatra Si Wafer avo lenta izahay mba hanomezana fahafaham-po ny filan'ny mpanjifanay.

Ho fanampin'ny Si Wafer, ny VET Energy koa dia manome fitaovana substrate semiconductor isan-karazany, anisan'izany ny SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, sns. Wafer, manome fanohanana matanjaka amin'ny fampivoarana ireo fitaovana elektronika matanjaka amin'ny taranaka manaraka.

Ny VET Energy dia manana fitaovana famokarana mandroso sy rafitra fitantanana kalitao feno mba hahazoana antoka fa ny wafer tsirairay dia mahafeno ny fenitry ny indostria. Ny vokatray dia tsy vitan'ny hoe manana toetra elektrika tsara, fa manana hery mekanika tsara sy fahamarinan-toerana mafana ihany koa.

Ny VET Energy dia manome vahaolana wafer namboarina ho an'ny mpanjifa, ao anatin'izany ny wafers samy hafa habe, karazana ary fifantohana doping. Ho fanampin'izay, manome fanohanana ara-teknika matihanina sy serivisy aorian'ny varotra ihany koa izahay mba hanampiana ny mpanjifa hamaha ny olana isan-karazany atrehana mandritra ny fizotran'ny famokarana.

WAFERING SPECIFICATIONS

*n-Pm=n-karazana Pm-Grade,n-Ps=n-karazana Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

zavatra	8-mirefy	6-mirefy			4-mirefy
zavatra	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Bow(GF3YFCD)-Sanda tanteraka	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Wafer Edge	Beveling

FINITANA EO AVY

*n-Pm=n-karazana Pm-Grade,n-Ps=n-karazana Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

zavatra	8-mirefy	6-mirefy			4-mirefy
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Surface vita	Polisy Optical lafiny roa, Si- Face CMP
SurfaceRoughness	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Edge Chips	Tsy mahazo alalana (lavany sy sakany≥0.5mm)
Indents	Tsy misy navela
Karazana (Si-Face)	Qty.≤5, Mitambatra Length≤0.5×wafer savaivony	Qty.≤5, Mitambatra Length≤0.5×wafer savaivony			Qty.≤5, Mitambatra Length≤0.5×wafer savaivony
triatra	Tsy misy navela
Edge Exclusion	3mm