Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptordia fitaovana fanohanana sy fanamafisam-peo natao manokana hitazomana sy hanafana ny substrate semiconductor mandritra ny fizotran'ny famokarana toy ny fizotran'ny Deposition na Epitaxy.

Ny firafiny dia ahitana karazana cylindrical na kely miendrika barika, misy paosy na sehatra maromaro hametrahana ny wafers, mety ho endrika matevina na poakaty, miankina amin'ny fomba fanafanana.

Ny tena asa ny epitaxial barika susceptor:

- Fanohanana substrate: mitazona tsara ny wafer semiconductor marobe;
-Loharanon'ny hafanana: manome mari-pana ambony ilaina amin'ny fitomboana amin'ny alàlan'ny fanafanana;
- Fanamafisana ny mari-pana: miantoka ny fanamainana ny substrate;
-Fihodinana: matetika mihodinkodina mandritra ny fitomboana mba hanatsarana ny mari-pana sy ny fizaran'ny entona.

Ny fitsipiky ny fiasan'ny Epi graphite barika susceptor:
- Ao amin'ny reactor epitaxial, ny susceptor barika dia mafana amin'ny mari-pana ilaina (matetika 1000 ℃-1200 ℃ ho an'ny epitaxy silisiôma);
-Mihodina ny susceptor barika mba hiantohana ny fizarana hafanana sy ny fikorianan'ny entona;
- Ny entona mihetsika dia mipoitra amin'ny hafanana avo, mamorona sosona epitaxial eo amin'ny substrate.

Fampiharana:
- Ampiasaina voalohany indrindra amin'ny fitomboan'ny epitaxial silisiôma
- Azo ampiharina ihany koa amin'ny epitaxy amin'ny fitaovana semiconductor hafa toa ny GaAs, InP, sns.

Ny VET Energy dia mampiasa graphite madio tsara miaraka amin'ny coating CVD-SiC hanatsarana ny fahamarinan-toerana simika:

Ny tombony amin'ny VET Energy Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor:

-Ny fahamarinan-toerana ambony;
-Firaisana mafana tsara;
-Afaka manodina substrate maromaro miaraka, manatsara ny fahombiazan'ny famokarana;
-Inert chimique, mitazona tontolo iainana mitombo madio.