SiC dangos nešiklis, skirtas RTP/RTA, yra pagrindinis komponentas, naudojamas puslaidininkių gamybos procesuose, vadinamuose greitu terminiu apdorojimu ir atkaitinimu. Mes naudojame savo patentuotą technologiją, kad silicio karbido nešiklis būtų itin grynas, vienodas ir puikiai tarnautų. taip pat aukštas cheminis atsparumas ir šiluminio stabilumo savybės.
Mūsų gaminių savybės:
1. Atsparumas oksidacijai aukštoje temperatūroje iki 1700 ℃.
2. Didelis grynumas ir šiluminis vienodumas
3. Puikus atsparumas korozijai: rūgštims, šarmams, druskoms ir organiniams reagentams.
4. Didelis kietumas, kompaktiškas paviršius, smulkios dalelės.
5. Ilgesnis tarnavimo laikas ir patvaresnis
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Pagrindinės fizinės CVD SiC savybėsdanga | |
| 性质 / Turtas | 典型数值 / Tipinė vertė |
| 晶体结构 / Kristalinė struktūra | FCC β fazė多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Tankis | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Kietumas | 2500 维氏硬度 (500 g apkrova) |
| 晶粒大小 / Grūdų dydis | 2 ~ 10 μm |
| 纯度 / Cheminis grynumas | 99,99995 % |
| 热容 / Šilumos talpa | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimacijos temperatūra | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Lanksčioji jėga | 415 MPa RT 4 taškų |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt lenkimas, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalLaidumas | 300 W · m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Šiluminė plėtra (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
„VET Energy“ yra tikras pritaikytų grafito ir silicio karbido gaminių gamintojas su skirtingomis dangomis, tokiomis kaip SiC danga, TaC danga, stiklinė anglies danga, pirolitinė anglies danga ir kt., Gali tiekti įvairias pritaikytas dalis puslaidininkių ir fotovoltinės energijos pramonei.
Mūsų techninė komanda yra iš geriausių vietinių tyrimų institucijų, gali pasiūlyti jums profesionalesnius medžiagų sprendimus.
Mes nuolat plėtojame pažangius procesus, kad gautume pažangesnes medžiagas, ir sukūrėme išskirtinę patentuotą technologiją, dėl kurios dangos ir pagrindo sujungimas tampa tvirtesnis ir mažiau linkęs atsiskirti.
Nuoširdžiai kviečiame apsilankyti mūsų gamykloje, aptarkime toliau!
