Perkristalizuoto silicio karbido savybės
Perkristalizuotas silicio karbidas (R-SiC) yra aukštos kokybės medžiaga, kurios kietumas yra antras po deimanto, kuris susidaro aukštoje, aukštesnėje nei 2000 ℃ temperatūroje. Jis išlaiko daugybę puikių SiC savybių, tokių kaip atsparumas aukštai temperatūrai, stiprus atsparumas korozijai, puikus atsparumas oksidacijai, geras atsparumas šiluminiam smūgiui ir pan.
● Puikios mechaninės savybės. Perkristalizuotas silicio karbidas turi didesnį stiprumą ir standumą nei anglies pluoštas, didelis atsparumas smūgiams, gali gerai veikti esant ekstremalioms temperatūroms, gali atlikti geresnį atsvarą įvairiose situacijose. Be to, jis taip pat turi gerą lankstumą ir nėra lengvai pažeidžiamas tempiant ir lenkiant, o tai labai pagerina jo veikimą.
● Didelis atsparumas korozijai. Perkristalizuotas silicio karbidas pasižymi dideliu atsparumu įvairių terpių korozijai, gali užkirsti kelią įvairių korozinių terpių erozijai, gali ilgą laiką išlaikyti savo mechanines savybes, turi stiprų sukibimą, todėl tarnavimo laikas yra ilgesnis. Be to, jis taip pat turi gerą šiluminį stabilumą, gali prisitaikyti prie tam tikro temperatūros pokyčių diapazono, pagerinti jo taikymo poveikį.
● Sukepinus nesusitraukia. Kadangi sukepinimo procesas nesusitraukia, joks liekamasis įtempis nesukels gaminio deformacijos ar įtrūkimų, todėl galima paruošti sudėtingos formos ir didelio tikslumo dalis.
| 重结晶碳化硅物理特性 Perkristalizuoto silicio karbido fizinės savybės | |
| 性质 / Turtas | 典型数值 / Tipinė vertė |
| 使用温度/ Darbinė temperatūra (°C) | 1600°C (su deguonimi), 1700°C (redukuojanti aplinka) |
| SiC含量/ SiC kiekis | > 99,96 % |
| 自由Si含量/ Nemokamas Si turinys | < 0,1 % |
| 体积密度/Tūrinis tankis | 2,60-2,70 g/cm3 |
| 气孔率/ Tariamas poringumas | < 16 % |
| 抗压强度/ Suspaudimo stiprumas | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Šalto lenkimo stiprumas | 80–90 MPa (20 °C) |
| 高温抗弯强度Stiprumas karštam lenkimui | 90–100 MPa (1400 °C) |
| 热膨胀系数/ Šiluminis plėtimasis @1500°C | 4,70 10-6/°C |
| 导热系数/Šilumos laidumas @1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Tamprumo modulis | 240 GPa |
| 抗热震性/ Atsparumas šiluminiam smūgiui | Be galo geras |
VET Energy yra įtikras individualių grafito ir silicio karbido gaminių su CVD danga gamintojas,gali tiektiįvairiųpritaikytos puslaidininkių ir fotovoltinės pramonės dalys. OJūsų techninė komanda ateina iš geriausių vietinių tyrimų institucijų, gali pasiūlyti profesionalesnius medžiagų sprendimustau.
Mes nuolat plėtojame pažangius procesus, kad galėtume teikti pažangesnes medžiagas,irsukūrė išskirtinę patentuotą technologiją, dėl kurios dangos ir pagrindo sukibimas tampa tvirtesnis ir mažiau linkęs atsiskirti.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Pagrindinės fizinės CVD SiC savybėsdanga | |
| 性质 / Turtas | 典型数值 / Tipinė vertė |
| 晶体结构 / Kristalinė struktūra | FCC β fazė多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Tankis | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Kietumas | 2500 维氏硬度 (500 g apkrova) |
| 晶粒大小 / Grūdų dydis | 2 ~ 10 μm |
| 纯度 / Cheminis grynumas | 99,99995 % |
| 热容 / Šilumos talpa | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimacijos temperatūra | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Lanksčioji jėga | 415 MPa RT 4 taškų |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt lenkimas, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalLaidumas | 300 W · m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Šiluminė plėtra (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
Nuoširdžiai kviečiame apsilankyti mūsų gamykloje, aptarkime toliau!
-
SiC padengta grafito pusmėnulio dalis, skirta silicio C...
-
TaC padengtas susceptorius, skirtas epitaksijos įrangai
-
CVD silicio karbido dangos MOCVD susceptorius
-
TaC dengtas plokštelinis susceptorius MOCVD krosnims
-
Perkristalizuoto silicio karbido krištolinė valtis skirta...
-
Aukštos kokybės tantalo karbidu dengtas akytas...