CVD (Chemical Vapor Deposition) yra dažniausiai naudojamas silicio karbido dangų paruošimo metodas.CVD silicio karbido dangosturi daug unikalių veikimo charakteristikų. Šiame straipsnyje bus pristatytas CVD silicio karbido dangos paruošimo būdas ir jo eksploatacinės charakteristikos.
1. Paruošimo būdasCVD silicio karbido danga
CVD metodas aukštoje temperatūroje paverčia dujinius pirmtakus į kietas silicio karbido dangas. Pagal skirtingus dujų pirmtakus jis gali būti suskirstytas į dujinės fazės CVD ir skystosios fazės CVD.
1. Garų fazės CVD
Garų fazės CVD naudoja dujinius pirmtakus, dažniausiai organinius silicio junginius, kad pasiektų silicio karbido plėvelių augimą. Dažniausiai naudojami organiniai silicio junginiai yra metilsilanas, dimetilsilanas, monosilanas ir kt., kurie sudaro silicio karbido plėveles ant metalinių substratų, transportuodami dujų pirmtakus į aukštos temperatūros reakcijos kameras. Aukštos temperatūros zonos reakcijos kameroje dažniausiai sukuriamos indukciniu arba varžiniu kaitinimu.
2. Skystosios fazės CVD
Skystosios fazės CVD naudojamas skystas pirmtakas, dažniausiai organinis tirpiklis, kuriame yra silicio ir silanolio junginio, kuris kaitinamas ir išgarinamas reakcijos kameroje, o po to cheminės reakcijos metu ant pagrindo susidaro silicio karbido plėvelė.
2. Veikimo charakteristikosCVD silicio karbido danga
1. Puikus veikimas aukštoje temperatūroje
CVD silicio karbido dangospasižymi puikiu stabilumu aukštoje temperatūroje ir atsparumu oksidacijai. Jis gali dirbti aukštoje temperatūroje ir gali atlaikyti ekstremalias sąlygas esant aukštai temperatūrai.
2.Geros mechaninės savybės
CVD silicio karbido dangaturi didelį kietumą ir gerą atsparumą dilimui. Jis apsaugo metalinius pagrindus nuo nusidėvėjimo ir korozijos, prailgindamas medžiagos tarnavimo laiką.
3. Puikus cheminis stabilumas
CVD silicio karbido dangosyra labai atsparūs įprastoms cheminėms medžiagoms, tokioms kaip rūgštys, šarmai ir druskos. Jis atsparus cheminiam poveikiui ir pagrindo korozijai.
4. Mažas trinties koeficientas
CVD silicio karbido dangaturi mažą trinties koeficientą ir geras savaiminio tepimo savybes. Tai sumažina trintį ir susidėvėjimą bei pagerina medžiagų naudojimo efektyvumą.
5.Geras šilumos laidumas
CVD silicio karbido danga pasižymi geromis šilumos laidumo savybėmis. Jis gali greitai praleisti šilumą ir pagerinti metalinio pagrindo šilumos išsklaidymo efektyvumą.
6. Puikios elektros izoliacijos savybės
CVD silicio karbido danga pasižymi geromis elektros izoliacinėmis savybėmis ir gali užkirsti kelią srovės nutekėjimui. Jis plačiai naudojamas elektroninių prietaisų izoliacijos apsaugai.
7. Reguliuojamas storis ir sudėtis
Kontroliuojant sąlygas CVD proceso metu ir pirmtako koncentraciją, galima reguliuoti silicio karbido plėvelės storį ir sudėtį. Tai suteikia daug galimybių ir lankstumo įvairioms programoms.
Trumpai tariant, CVD silicio karbido danga pasižymi puikiomis aukštos temperatūros savybėmis, puikiomis mechaninėmis savybėmis, geru cheminiu stabilumu, mažu trinties koeficientu, geru šilumos laidumu ir elektros izoliacijos savybėmis. Dėl šių savybių CVD silicio karbido dangos plačiai naudojamos daugelyje sričių, įskaitant elektroniką, optiką, aviaciją, chemijos pramonę ir kt.
Paskelbimo laikas: 2024-03-20