ICP Etch Carrier

Trumpas aprašymas:

Kilmės vieta:Kinija

Kristalinė struktūra:FCCβ fazė

Tankis:3,21 g/cm;

Kietumas:2500 Vickers;

Grūdų dydis:2~10μm;

Cheminis grynumas:99,99995 %;

Šilumos talpa:640J·kg-1·K-1;

Sublimacijos temperatūra:2700 ℃;

Feleksualinė jėga:415 MPa (RT 4 taškai);

Youngo modulis:430 Gpa (4 pt lenkimas, 1300 ℃);

Šiluminė plėtra (CTE):4,5 10-6K-1;

Šilumos laidumas:300 W/MK;

Atsiųskite mums el Atsisiųsti kaip PDF

Produkto detalė

Produkto etiketės

Produkto aprašymas

Mūsų įmonė teikia SiC dengimo proceso paslaugas CVD metodu grafito, keramikos ir kitų medžiagų paviršiuje, kad specialios dujos, turinčios anglies ir silicio, reaguodamos aukštoje temperatūroje gautų didelio grynumo SiC molekules, molekules, nusėdusias ant dengtų medžiagų paviršiaus, suformuojantis SIC apsauginį sluoksnį.

Pagrindinės savybės:

1. Atsparumas oksidacijai aukštoje temperatūroje:

atsparumas oksidacijai išlieka labai geras, kai temperatūra siekia net 1600 C.

2. Didelis grynumas: pagamintas cheminiu garų nusodinimu aukštoje temperatūroje chloruojant.

3. Atsparumas erozijai: didelis kietumas, kompaktiškas paviršius, smulkios dalelės.

4. Atsparumas korozijai: rūgštis, šarmai, druska ir organiniai reagentai.

Pagrindinės CVD-SIC dangos specifikacijos

SiC-CVD savybės
Kristalinė struktūra	FCC β fazė
Tankis	g/cm³	3.21
Kietumas	Vickerso kietumas	2500
Grūdų dydis	μm	2~10
Cheminis grynumas	%	99.99995
Šilumos talpa	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimacijos temperatūra	℃	2700
Feleksualinė jėga	MPa (RT 4 taškai)	415
Youngo modulis	Gpa (4 pt lenkimas, 1300 ℃)	430
Šiluminė plėtra (CTE)	10-6K-1	4.5
Šilumos laidumas	(W/mK)	300