ຖາດແຜ່ນ Epitaxial ເຄືອບ Silicon Carbide ໃຊ້ໃນອຸປະກອນ furnace Epitaxial

ຖາດແຜ່ນ Epitaxial ເຄືອບ Silicon Carbide ໃຊ້ໃນອຸປະກອນ Epitaxial Furnace ແນະນໍາຮູບພາບ

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd ເປັນວິສາຫະກິດເຕັກໂນໂລຊີສູງສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໃນປະເທດຈີນ, ພວກເຮົາສະຫນອງການເປັນມືອາຊີບ ຖາດແຜ່ນ Epitaxial ເຄືອບ Silicon Carbide ໃຊ້ໃນອຸປະກອນ furnace Epitaxial aຜູ້ຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງ. ພວກເຮົາກໍາລັງສຸມໃສ່ເຕັກໂນໂລຢີວັດສະດຸໃຫມ່ແລະຜະລິດຕະພັນລົດຍົນ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ ດາວໂຫຼດເປັນ PDF

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍກຳກັບສິນຄ້າ

ໄດ້Silicon Carbide ເຄືອບ ແຜ່ນ Epitaxialລອງໃຊ້ແລ້ວອຸປະກອນ furnace Epitaxialຜະລິດໃນປະເທດຈີນໂດຍ Vet Energy, ເຊິ່ງເປັນຫນຶ່ງໃນຜູ້ຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງໃນປະເທດຈີນ. ຊື້Silicon Carbide ເຄືອບ ແຜ່ນ Epitaxialຖາດທີ່ໃຊ້ໃນປະເທດຈີນອຸປະກອນ furnace Epitaxialໃນລາຄາຕໍ່າຈາກໂຮງງານຂອງພວກເຮົາ. ພວກເຮົາມີຍີ່ຫໍ້ຂອງຕົນເອງແລະພວກເຮົາຍັງສະຫນັບສະຫນູນຈໍານວນຫລາຍ. ຖ້າທ່ານສົນໃຈຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາ, ພວກເຮົາຈະໃຫ້ລາຄາຕໍ່ລອງກັບທ່ານ. ຍິນດີຕ້ອນຮັບທີ່ຈະຊື້ຜະລິດຕະພັນຫຼຸດຜ່ອນທີ່ໃຫມ່ທີ່ສຸດແລະຄຸນນະພາບສູງຈາກພວກເຮົາ.

ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາໃຫ້ບໍລິການຂະບວນການເຄືອບ SiC ໂດຍວິທີການ CVD ເທິງຫນ້າດິນຂອງກາຟ, ເຊລາມິກແລະວັດສະດຸອື່ນໆ, ດັ່ງນັ້ນທາດອາຍຜິດພິເສດທີ່ມີຄາບອນແລະຊິລິຄອນ react ຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງເພື່ອໃຫ້ໄດ້ໂມເລກຸນ SiC ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ໂມເລກຸນທີ່ຝາກໄວ້ໃນຫນ້າດິນຂອງວັດສະດຸເຄືອບ, ການສ້າງຊັ້ນປ້ອງກັນ SIC.

ຄຸນນະສົມບັດຕົ້ນຕໍ:

1. ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງຂອງອຸນຫະພູມສູງ:

ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງແມ່ນຍັງດີຫຼາຍເມື່ອອຸນຫະພູມສູງເຖິງ 1600 C.

2. ຄວາມບໍລິສຸດສູງ: ເຮັດໂດຍການປ່ອຍອາຍພິດສານເຄມີພາຍໃຕ້ສະພາບ chlorination ອຸນຫະພູມສູງ.

3. ການຕໍ່ຕ້ານການເຊາະເຈື່ອນ: ຄວາມແຂງສູງ, ພື້ນຜິວຫນາແຫນ້ນ, ອະນຸພາກດີ.

4. ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ: ອາຊິດ, ດ່າງ, ເກືອແລະທາດປະສົມອິນຊີ.

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຕົ້ນຕໍຂອງການເຄືອບ CVD-SIC:

ຄຸນສົມບັດ SiC-CVD
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	ໄລຍະ FCC β
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	g/ຊມ ³	3.21
ຄວາມແຂງ	ຄວາມແຂງຂອງ Vickers	2500
ຂະໜາດເມັດພືດ	ມມ	2~10
ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີ	%	99.99995
ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ	J·ກິໂລ^-1· ຄ^-1	640
ອຸນຫະພູມ sublimation	℃	2700
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Felexural	MPa (RT 4 ຈຸດ)	415
ໂມດູລຂອງໜຸ່ມ	Gpa (4pt ງໍ, 1300℃)	430
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE)	10-6K-1	4.5
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ	(W/mK)	300