Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptorເປັນອຸປະກອນສະຫນັບສະຫນູນ ແລະຄວາມຮ້ອນທີ່ອອກແບບມາສະເພາະທີ່ໃຊ້ໃນການຖື ແລະໃຫ້ຄວາມຮ້ອນຂອງຊັ້ນຍ່ອຍຂອງເຊມິຄອນດັກເຕີໃນລະຫວ່າງການຂະບວນການຜະລິດເຊັ່ນ: ຂະບວນການ Deposition ຫຼື Epitaxy.

ໂຄງສ້າງຂອງມັນປະກອບມີໂດຍທົ່ວໄປເປັນຮູບທໍ່ກົມຫຼືຮູບຮ່າງຂອງຖັງເລັກນ້ອຍ, ດ້ານມີຖົງຫຼືເວທີຫຼາຍສໍາລັບການວາງ wafers, ສາມາດອອກແບບແຂງຫຼືເປັນຮູ, ຂຶ້ນກັບວິທີການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນ.

ຫນ້າທີ່ຕົ້ນຕໍຂອງການ susceptor ຖັງ epitaxial:

-Substrate ສະຫນັບສະຫນູນ: ຢ່າງປອດໄພຖື wafers semiconductor ຫຼາຍ;
- ແຫຼ່ງຄວາມຮ້ອນ: ສະຫນອງອຸນຫະພູມສູງທີ່ຈໍາເປັນສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໂດຍຜ່ານການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນ;
-Temperature uniformity: ຮັບປະກັນການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນທີ່ເປັນເອກະພາບຂອງ substrates;
- ພືດຫມູນວຽນ: ປົກກະຕິແລ້ວຫມຸນໃນໄລຍະການຂະຫຍາຍຕົວເພື່ອປັບປຸງອຸນຫະພູມແລະການແຜ່ກະຈາຍອາຍແກັສເປັນເອກະພາບ.

ຫຼັກການເຮັດວຽກຂອງ Epi graphite barrel susceptor:
- ໃນ reactor epitaxial, susceptor ຖັງແມ່ນໃຫ້ຄວາມຮ້ອນກັບອຸນຫະພູມທີ່ກໍານົດໄວ້ (ປົກກະຕິແລ້ວ 1000 ℃ - 1200 ℃ສໍາລັບ epitaxy ຊິລິໂຄນ);
-The barrel susceptor rotates ເພື່ອຮັບປະກັນການແຜ່ກະຈາຍອຸນຫະພູມເອກະພາບແລະການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ;
- ທາດປະຕິກິລິຍາເສື່ອມໂຊມໃນອຸນຫະພູມສູງ, ປະກອບເປັນຊັ້ນ epitaxial ເທິງຫນ້າດິນ substrate.

ແອັບພລິເຄຊັນ:
- ຕົ້ນຕໍແມ່ນໃຊ້ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ epitaxial ຊິລິໂຄນ
- ຍັງໃຊ້ໄດ້ກັບ epitaxy ຂອງວັດສະດຸ semiconductor ອື່ນໆເຊັ່ນ GaAs, InP, ແລະອື່ນໆ.

ພະລັງງານ VET ໃຊ້ graphite ຄວາມບໍລິສຸດສູງດ້ວຍການເຄືອບ CVD-SiC ເພື່ອເພີ່ມຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີ:

ຂໍ້ດີຂອງ VET Energy Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor:

- ສະຖຽນລະພາບອຸນຫະພູມສູງ;
- ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຄວາມຮ້ອນທີ່ດີ;
- ສາມາດປຸງແຕ່ງ substrates ຫຼາຍພ້ອມໆກັນ, ປັບປຸງປະສິດທິພາບການຜະລິດ;
- ເຄມີ inert, ຮັກສາສະພາບແວດລ້ອມການຂະຫຍາຍຕົວທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ.