Silicon Carbide Beschichtete Wafer Susceptor Disc

Kuerz Beschreiwung:

VET Energy Silicon Carbide Beschichtete Wafer susceptor Disc ass en High-Performance Produkt entwéckelt fir konsequent an zouverlässeg Leeschtung iwwer eng verlängert Period ze bidden. Et huet super gutt Hëtzt Resistenz an thermesch Uniformitéit, héich Rengheet, Erosioun Resistenz, mécht et déi perfekt Léisung fir wafer Veraarbechtung Uwendungen.

Schéckt E-Mail un eis Download als PDF

Produit Detailer

Produit Tags

Silicon Carbide Wafer Disc ass e Schlësselkomponent deen a verschiddene Hallefleitfabrikatiounsprozesser benotzt gëtt. mir benotzen eis patentéiert Technologie fir de Siliziumkarbid méi sécher Disc mat extrem héijer Rengheet, gudder Beschichtungsuniformitéit an engem exzellente Liewensdauer ze maachen, wéi och héich chemesch Resistenz an thermesch Stabilitéitseigenschaften.

VET Energy ass de richtege Hiersteller vu personaliséierte Graphit- a Siliziumkarbidprodukter mat verschiddene Beschichtungen wéi SiC, TaC, pyrolytesche Kuelestoff, Glaskuelestoff, asw., kënne verschidde personaliséiert Deeler fir Hallefleit- a Photovoltaikindustrie liwweren. Eis technesch Equipe kënnt aus Top Gewalt Fuerschung Institutiounen, kann méi professionell Material Léisungen fir Iech bidden.

Mir entwéckelen kontinuéierlech fortgeschratt Prozesser fir méi fortgeschratt Materialien ze liwweren, an hunn eng exklusiv patentéiert Technologie ausgeschafft, déi d'Verbindung tëscht der Beschichtung an dem Substrat méi enk a manner ufälleg fir Ofbau maachen kann.

FEatures vun eise Produkter:

1. Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz bis 1700℃.
2. Héich Rengheet anthermesch Uniformitéit
3. Exzellent Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenz.
4. Héich Hardness, kompakt Uewerfläch, fein Partikel.
5. Méi laang Liewensdauer a méi haltbar

CVD SiC薄膜基本物理性能 Basis kierperlech Eegeschafte vun CVD SiCBeschichtung
性质 / Immobilie	典型数值 / Typesch Wäert
晶体结构 / Kristallstruktur	FCC β Phase多晶，主要为（111) 取向
密度 / Dicht	3,21 g/cm³
硬度 / Hardness	2500 维氏硬度（500g Belaaschtung）
晶粒大小 / Grain Gréisst	2 ~ 10 μm
纯度 / Chemesch Rengheet	99,99995%
热容 / Hëtzt Kapazitéit	640 jkg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimatioun Temperatur	2700 ℃
抗弯强度 / Flexural Kraaft	415 MPa RT 4-Punkt
杨氏模量 / Young's Modulus	430 Gpa 4pt Béi, 1300 ℃
导热系数 / ThermlKonduktivitéit	300 W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Thermal Expansioun (CTE)	4,5x10^-6K^-1