SiC Beschichtung / Beschichtete Graphit Substrat / Schacht fir Semiconductor

Kuerz Beschreiwung:

VET Energy SiC Beschichtete Graphit Susceptor fir Epitaxial Wuesstum ass en High-Performance Produkt entwéckelt fir konsequent an zouverlässeg Leeschtung iwwer eng verlängert Period ze bidden. Et huet super gutt Hëtzt Resistenz an thermesch Uniformitéit, héich Rengheet, Erosioun Resistenz, mécht et déi perfekt Léisung fir wafer Veraarbechtung Uwendungen.

Schéckt E-Mail un eis Download als PDF

Produit Detailer

Produit Tags

SiC Beschichtung / Beschichtete vu Graphit susceptor fir Semiconductor

DéiSiC Beschichtete Graphit Substratass eng héich haltbar an effizient Léisung entwéckelt fir déi streng Ufuerderunge vun der Hallefleitveraarbechtungsindustrie z'erreechen. Mat enger Schicht vu héijer RengheetSiliciumcarbid (SiC) Beschichtung, dëst Substrat liwwert aussergewéinlech thermesch Stabilitéit, Oxidatiounsbeständegkeet a verlängert Liewensdauer, sou datt et ideal ass fir Uwendungen an MOCVD-Prozesser, Graphitwafer-Carrieren an aner Héichtemperatur-Ëmfeld.

Fonctiounen:
· Excellent thermesch Schock Resistenz
· Excellent kierperlech Schock Resistenz
· Excellent chemesch Resistenz
· Super héich Rengheet
· Disponibilitéit an komplex Form
· Benotzbar ënner oxidéierend Atmosphär

Applikatioun:

Produkt Features a Virdeeler:

1. Ieweschte thermesch Resistenz:Mat enger héijer RengheetSiC Beschichtung, de Substrat hält extrem Temperaturen, garantéiert eng konsequent Leeschtung an erfuerderlechen Ëmfeld wéi Epitaxie a Hallefleitveraarbechtung.

2. Verstäerkte Haltbarkeet:D'SiC Beschichtete Graphit Komponente sinn entwéckelt fir chemesch Korrosioun an Oxidatioun ze widderstoen, d'Liewensdauer vum Substrat verglach mat Standard Graphitsubstrater ze erhéijen.

3. Vitreous Beschichtete Graphite:Déi eenzegaarteg vitreous Struktur vun derSiC Beschichtungbitt exzellent Uewerflächehärkeet, miniméiert d'Verschleiung während der Héichtemperaturveraarbechtung.

4. High Purity SiC Beschichtung:Eise Substrat garantéiert minimal Kontaminatioun a sensiblen Hallefleitprozesser, bitt Zouverlässegkeet fir Industrien déi strikt Materialrengheet erfuerderen.

5. Breet Maart Applikatioun:DéiSiC Beschichtete Grafit susceptorMaart wuesse weider wéi d'Nofro fir fortgeschratt SiC Beschichtete Produkter an der Hallefleitfabrikatioun eropgeet, dëst Substrat als Schlësselspiller souwuel am Grafitwafer Carrier Maart wéi och am Siliziumkarbid Beschichtete Grafit Schachtmaart positionéiert.

Typesch Eegeschafte vum Base Graphite Material:

Scheinbar Dicht:	1,85 g/cm3
Elektresch Resistenz:	11 μΩm
Flexural Stäerkt:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Shore Hardness:	58
Äsche:	<5 ppm
Thermesch Konduktivitéit:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

CVD SiC薄膜基本物理性能 Basis kierperlech Eegeschafte vun CVD SiCBeschichtung
性质 / Property	典型数值 / Typesch Wäert
晶体结构 / Kristallstruktur	FCC β Phase 多晶，主要为（111）取向
密度 / Dicht	3,21 g/cm³
硬度 / Hardness	2500 维氏硬度（500g Belaaschtung）
晶粒大小 / Grain Gréisst	2 ~ 10 μm
纯度 / Chemesch Rengheet	99,99995%
热容 / Hëtzt Kapazitéit	640 jkg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimatiounstemperatur	2700 ℃
抗弯强度 / Flexural Strength	415 MPa RT 4-Punkt
杨氏模量 / Young's Modulus	430 Gpa 4pt Béi, 1300 ℃
导热系数 / Wärmeleitung	300 W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Thermal Expansion (CTE)	4,5x10^-6K^-1

VET Energy ass de richtege Hiersteller vu personaliséierte Graphit- a Siliziumkarbidprodukter mat verschiddene Beschichtungen wéi SiC Beschichtung, TaC Beschichtung, glaslech Kuelestoffbeschichtung, pyrolytesch Kuelestoffbeschichtung, etc., kënne verschidde personaliséiert Deeler fir Hallefleit- a Photovoltaikindustrie liwweren.

Eis technesch Equipe kënnt aus Top Gewalt Fuerschung Institutiounen, kann méi professionell Material Léisungen fir Iech bidden.

Mir entwéckelen kontinuéierlech fortgeschratt Prozesser fir méi fortgeschratt Materialien ze liwweren, an hunn eng exklusiv patentéiert Technologie ausgeschafft, déi d'Verbindung tëscht der Beschichtung an dem Substrat méi enk a manner ufälleg fir Ofbau maachen kann.

Wëllkomm Iech häerzlech op eis Fabréck ze besichen, loosst eis weider Diskussioun hunn!