Mir hunn eisen eegene Verkafsteam, Designteam, Technesch Team, QC Team a Package Team. Mir hunn strikt Qualitéitskontrollprozedure fir all Prozess. Och all eis Aarbechter sinn am Drockfeld erlieft fir Zitat Präis fir China Héichtemperaturbeständegkeet Gréng Silicon Carbide Abrasive Powder Black Silicon Carbide Polierpulver, Cliente Benefice an Zefriddenheet sinn normalerweis eis gréissten Absicht. Denkt drun eis ze kontaktéieren. Gitt eis eng Wahrscheinlechkeet, gitt Iech eng Iwwerraschung.
Mir hunn eisen eegene Verkafsteam, Designteam, Technesch Team, QC Team a Package Team. Mir hunn strikt Qualitéitskontrollprozedure fir all Prozess. Och all eis Aarbechter sinn am Dréckerei Terrain erlieft firChina Silicon Carbide, Sic, Wat ass e gudde Präis? Mir ginn Clienten mat Fabréck Präis. An der Viraussetzung vu gudder Qualitéit sollt d'Effizienz opmierksam gemaach ginn an entspriechend niddereg a gesond Gewënn behalen. Wat ass eng séier Liwwerung? Mir maachen d'Liwwerung no Clienten Ufuerderunge. Obwuel d'Liwwerzäit hänkt vun der Bestellungsquantitéit an der Komplexitéit dovun of, probéieren mir ëmmer nach Produkter a Léisungen an der Zäit ze liwweren. Villmools hoffen mir kéinten laangfristeg Affär Relatioun hunn.
Produit Beschreiwung
Eis Firma liwwert SiC Beschichtungsprozessservicer duerch CVD Method op der Uewerfläch vu Grafit, Keramik an aner Materialien, sou datt speziell Gase mat Kuelestoff a Silizium bei héijer Temperatur reagéiere fir héich Rengheet SiC Moleküle ze kréien, Molekülen déi op der Uewerfläch vun de Beschichtete Materialien deposéiert sinn, SIC Schutzschicht bilden.
Haaptfeatures:
1. Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz: D'Oxidatioun Resistenz ass nach ganz gutt wann d'Temperatur esou héich ass wéi 1600 C.
2. Héich Rengheet: gemaach duerch chemesch Dampdepositioun ënner héijer Temperatur Chloréierungskonditioun.
3. Erosiounsbeständegkeet: héich härt, kompakt Uewerfläch, fein Partikel.
4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenz.
Main Spezifikatioune vun CVD-SIC Beschichtung
SiC-CVD Properties | ||
Kristallstruktur | FCC β Phase | |
Dicht | g/cm³ | 3.21 |
Hardness | Vickers Hardness | 2500 |
Grain Gréisst | μm | 2~10 |
Chemesch Rengheet | % | 99,99995 |
Hëtzt Kapazitéit | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
Sublimatioun Temperatur | ℃ | 2700 |
Felexural Kraaft | MPa (RT 4-Punkt) | 415 |
Young's Modulus | Gpa (4pt Béi, 1300 ℃) | 430 |
Thermal Expansioun (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Wärmeleitung | (W/mK) | 300 |