Qualitéitsinspektioun fir China Industrial Polycrystalline Diamantpulver 3-6um fir Saphir Wafer

Kuerz Beschreiwung:


  • Plaz vun Urspronk:China
  • Kristall Struktur:FCCβ Phase
  • Densitéit:3,21 g/cm;
  • Hardness:2500 Vickers;
  • Grain Gréisst:2~10μm;
  • Chemesch Rengheet:99,99995%;
  • Hëtzt Kapazitéit:640J · kg-1 · K-1;
  • Sublimatioun Temperatur:2700 ℃;
  • Felexural Kraaft:415 Mpa (RT 4-Punkt);
  • Young's Modulus:430 Gpa (4pt Béi, 1300 ℃);
  • Thermesch Expansioun (CTE):4,5 10-6K-1;
  • Thermesch Konduktivitéit:300 (W/MK);
  • Produit Detailer

    Produit Tags

    "Oprechtheet, Innovatioun, Rigorousness, an Effizienz" ass déi persistent Konzept vun eiser Firma fir laangfristeg zesumme mat Clienten fir géigesäitege Géigesäitegkeet a géigesäitege Virdeel fir Qualitéit Inspektioun fir China Industriezon Polycrystalline ze entwéckelenDiamant Pudder3-6um fir Saphir Wafer, Mir hunn zouversiichtlech datt mir déi héichqualitativ Produkter a Léisungen zu engem resonable Präisstag, superior After-Sales Support an de Shoppers ubidden. A mir wäerten e liewege laangfristeg bauen.
    "Oprechtheet, Innovatioun, Rigorousness, an Effizienz" ass déi persistent Konzeptioun vun eiser Firma fir laangfristeg zesummen mat Clienten ze entwéckelen fir géigesäiteg Géigesäitegkeet a géigesäitege Virdeel firChina syntheteschen Diamant, Diamant Pudder, Mir insistéieren ëmmer op d'Gestioun Tenet vun "Quality ass Éischt, Technologie ass Basis, Éierlechkeet an Innovatioun". Mir kënnen nei Produkter kontinuéierlech op e méi héijen Niveau entwéckelen fir verschidde Bedierfnesser vun de Clienten zefridden ze stellen.
    Produit Beschreiwung

    Eis Firma liwwert SiC Beschichtungsprozessservicer duerch CVD Method op der Uewerfläch vu Grafit, Keramik an aner Materialien, sou datt speziell Gase mat Kuelestoff a Silizium bei héijer Temperatur reagéiere fir héich Rengheet SiC Moleküle ze kréien, Molekülen déi op der Uewerfläch vun de Beschichtete Materialien deposéiert sinn, SIC Schutzschicht bilden.

    Haaptfeatures:

    1. Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz:

    d'Oxidatiounsresistenz ass nach ëmmer ganz gutt wann d'Temperatur sou héich wéi 1600 C ass.

    2. Héich Rengheet: gemaach duerch chemesch Dampdepositioun ënner héijer Temperatur Chloréierungskonditioun.

    3. Erosiounsbeständegkeet: héich härt, kompakt Uewerfläch, fein Partikel.

    4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenz.

    Main Spezifikatioune vun CVD-SIC Beschichtung

    SiC-CVD Properties

    Kristallstruktur FCC β Phase
    Dicht g/cm³ 3.21
    Hardness Vickers Hardness 2500
    Grain Gréisst μm 2~10
    Chemesch Rengheet % 99,99995
    Hëtzt Kapazitéit J·kg-1 ·K-1 640
    Sublimatioun Temperatur 2700
    Felexural Kraaft MPa (RT 4-Punkt) 415
    Young's Modulus Gpa (4pt Béi, 1300 ℃) 430
    Thermal Expansioun (CTE) 10-6K-1 4.5
    Wärmeleitung (W/mK) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • virdrun:
  • Nächste:

  • WhatsApp Online Chat!