Héich Puritéit GRAPHITE Komponente sinn entscheedend firProzesser an der Hallefleit-, LED- a Solarindustrie. Eis Offer rangéiert vu Graphit Verbrauchsmaterial fir Kristallwuesstem Hot Zonen (Heizungen, Crucible susceptors, Isolatioun), bis héich Präzisioun GRAPHITE Komponente fir Wafer Veraarbechtung Ausrüstung, wéi Silicon Carbide Beschichtete graphite susceptors fir Epitaxy oder MOCVD. Hei kënnt eis Spezialgrafit an d'Spill: isostatesch Grafit ass fundamental fir d'Produktioun vu Verbindungshalbleiterschichten.Dës ginn an der "waarm Zone" ënner extremen Temperaturen während dem sougenannten Epitaxie oder MOCVD-Prozess generéiert. De rotativen Träger, op deem d'Waferen am Reaktor beschichtet sinn, besteet aus Siliziumkarbid-beschichtete isostatesche Grafit. Nëmmen dëse ganz puren, homogene Grafit entsprécht den héijen Ufuerderungen am Beschichtungsprozess.
Thien Basis Prinzip vun LED epitaxial wafer Wuesstem ass: op engem Substrat (haaptsächlech Saphir, SiC a Si) op eng adequat Temperatur erhëtzt, gëtt d'Gasmaterial InGaAlP op eng kontrolléiert Manéier op d'Substratoberfläche transportéiert fir e spezifeschen eenzegen Kristallfilm ze wuessen. Am Moment adoptéiert d'Wuesstem Technologie vun LED epitaxial wafer haaptsächlech organesch Metal chemesch Damp Oflagerung.
LED epitaxial Substrat Materialass den Ecksteen vun der technologescher Entwécklung vun der Hallefleitbeliichtungsindustrie. Verschidde Substratmaterialien brauche verschidde LED epitaxial Wafer Wuesstumstechnologie, Chipveraarbechtungstechnologie an Apparatverpackungstechnologie. Substratmaterialien bestëmmen d'Entwécklungsroute vun der Halbleiterbeliichtungstechnologie.
Charakteristiken vun LED epitaxial wafer Substrat Material Auswiel:
1. Den epitaxialen Material huet déiselwecht oder ähnlech Kristallstruktur mam Substrat, kleng Gitter konstante Mësshandlung, gutt Kristallinitéit a geréng Defektdichte
2. Gutt Interface Charakteristiken, förderlech fir d'Nukleatioun vun epitaxialen Materialien a staarker Adhäsioun
3. Et huet gutt chemesch Stabilitéit an ass net einfach an der Temperatur an Atmosphär vun epitaxial Wuesstem ze zerstéieren an corrode
4. Gutt thermesch Leeschtung, dorënner gutt thermesch Leit an niddereg thermesch Mëssverständis
5. Gutt Konduktivitéit, kann an iewescht an ënnescht Struktur gemaach ginn 6, gutt optesch Leeschtung, an d'Liicht vum fabrizéierten Apparat emittéiert ass manner vum Substrat absorbéiert
7. Good mechanesch Eegeschaften an einfach Veraarbechtung vun Apparater, dorënner thinning, poléieren an opzedeelen
8. Niddereg Präis.
9. Grouss Gréisst. Allgemeng soll den Duerchmiesser net manner wéi 2 Zoll sinn.
10. Et ass einfach regelméisseg Form Substrat ze kréien (ausser et gëtt aner speziell Ufuerderunge), an der Substrat Form ähnlech zu der Schacht Lach vun epitaxial Equipement ass net einfach onregelméissegen Eddy aktuell ze Form, sou wéi d'Epitaxial Qualitéit Afloss.
11. Op der Viraussetzung fir d'Epitaxialqualitéit net ze beaflossen, muss d'Maschinabilitéit vum Substrat den Ufuerderunge vun der spéider Chip- a Verpackungsveraarbechtung esou wäit wéi méiglech erfëllen.
Et ass ganz schwéier fir d'Auswiel vum Substrat déi uewe eelef Aspekter zur selwechter Zäit ze treffen. Dofir kënne mir de Moment nëmmen un d'R & D an d'Produktioun vun Hallefleit-Liicht-Emittéierend Geräter op verschiddene Substrate upassen duerch d'Verännerung vun der epitaxialer Wuesstumstechnologie an der Upassung vun der Apparatveraarbechtungstechnologie. Et gi vill Substratmaterialien fir Galliumnitridfuerschung, awer et ginn nëmmen zwee Substrater déi fir d'Produktioun benotzt kënne ginn, nämlech Saphir Al2O3 a SiliziumkarbidSiC Substrate.
Post Zäit: Februar-28-2022