SiC huet excellent physesch a chemesch Eegeschaften, wéi héich Schmelzpunkt, héich hardness, corrosion Resistenz an Oxidatioun Resistenz. Besonnesch am Beräich vun 1800-2000 ℃, SiC huet gutt Ablation Resistenz. Dofir huet et breet Uwendungsperspektiven an der Raumfaart, Waffenausrüstung an aner Felder. Wéi och ëmmer, SiC selwer kann net alseng strukturellMaterial,sou datt d'Beschichtungsmethod normalerweis benotzt gëtt fir seng Verschleißbeständegkeet an Ablatiounsbeständeg ze benotzence.
Siliziumkarbid(SIC) semiconductor Material ass déi drëtt Generatioun seMiconductor Material entwéckelt no der éischter Generatioun Element semiconductor Material (Si, GE) an der zweeter Generatioun Compound semiconductor Material (GaAs, Spalt, InP, etc.). Als breet Band Spalt semiconductor Material, Silicon Carbide huet d'Charakteristiken vun grouss Band Spalt Breet, héich Decompte Feld Kraaft, héich thermesch Leit, héich Träger Sättigung Drift Vitesse, kleng dielektresch konstante, staark Stralung Resistenz a gutt chemesch Stabilitéit. Et kann benotzt ginn fir verschidde High-Frequenz- a High-Power-Geräter mat héijer Temperaturresistenz ze fabrizéieren a kann an Occasiounen benotzt ginn wou Silizium-Geräter inkompetent sinn, Oder den Effekt produzéieren datt Silizium-Geräter schwéier an allgemeng Uwendungen ze produzéieren.
Main Applikatioun: benotzt fir Drot opzedeelen vun 3-12 Zoll monocrystalline Silicon, polycrystalline Silicon, KaliumiodidPëlle arsenide, Quarz Kristallsglas produzéiert, etc.Benotzt ansemiconductor, Blëtz, Circuit Element, Héichtemperaturapplikatioun, Ultraviolet Detektor, Strukturmaterial, Astronomie, Scheibenbrems, Kupplung, Dieselpartikelfilter, Filamentpyrometer, Keramikfilm, Schneidinstrument, Heizelement, Nuklearbrennstoff, Bijouen, Stol, Schutzausrüstung, Katalysator Ënnerstëtzung an aner Felder
Post Zäit: Februar-17-2022