Neiegkeeten

Wéi gëtt SiC Mikropulver gemaach?
vun Administrator op 24-05-13
SiC Eenkristall ass e Grupp IV-IV Verbindung Hallefleitmaterial aus zwee Elementer, Si a C, an engem stoichiometresche Verhältnis vun 1:1. Seng Hardness ass zweet nëmmen dem Diamant. D'Kuelestoffreduktioun vu Siliziumoxid-Methode fir SiC ze preparéieren ass haaptsächlech baséiert op der folgender chemescher Reaktiounsformel ...
Liest méi
Wéi hëllefen epitaxial Schichten Hallefleitgeräter?
vun Administrator op 24-05-13
D'Origine vum Numm epitaxial wafer Als éischt, loosst eis e klengt Konzept populariséieren: wafer Virbereedung enthält zwee grouss Linken: Substrat Virbereedung an epitaxial Prozess. De Substrat ass e Wafer aus semiconductor Eenkristallmaterial. De Substrat kann direkt an d'Waferfabrikatioun kommen ...
Liest méi
Aféierung an d'chemesch Vapor Deposition (CVD) Dënnfilmdepositiounstechnologie
vun Administrator op 24-05-06
Chemesch Vapor Deposition (CVD) ass eng wichteg Dënnfilmdepositiounstechnologie, déi dacks benotzt gëtt fir verschidde funktionell Filmer an dënnschichtmaterialien ze preparéieren, a gëtt wäit an der Hallefleitfabrikatioun an aner Felder benotzt. 1. Aarbechtsprinzip vu CVD Am CVD-Prozess gëtt e Gasvirgänger (een oder ...
Liest méi
De "schwaarz Gold" Geheimnis hannert der photovoltaescher Hallefleitindustrie: de Wonsch an d'Ofhängegkeet vum isostatesche Grafit
vun Administrator op 24-05-06
Isostatesch Grafit ass e ganz wichtegt Material a Photovoltaik a Hallefleit. Mat dem schnelle Steigerung vun inlandsisostatesche Grafitfirmen ass de Monopol vun auslännesche Firmen a China gebrach ginn. Mat kontinuéierlecher onofhängeger Fuerschung an Entwécklung an technologeschen Duerchbroch, de ...
Liest méi
Entdeckt déi wesentlech Charakteristike vu Graphitbooten an der Semiconductor Keramik Fabrikatioun
vun Administrator op 24-04-22
Graphitebooter, och bekannt als Graphitboote, spillen eng entscheedend Roll an de komplizéierte Prozesser vun der Hallefleitkeramikfabrikatioun. Dës spezialiséiert Schëffer déngen als zouverlässeg Träger fir Hallefleitwaferen während Héichtemperaturbehandlungen, fir präzis a kontrolléiert Veraarbechtung ze garantéieren. Mat ...
Liest méi
Déi intern Struktur vun der Schmelzhäreausrüstung gëtt am Detail erkläert
vun Administrator op 24-04-22
Wéi uewen gewisen, ass eng typesch Déi éischt Halschent: ▪ Heizelement (Heizspiral): läit ronderëm den Uewenröhr, normalerweis aus Resistenzdraht, benotzt fir d'Innere vum Schmelzröhr ze erhëtzen. ▪ Quarz Tube: De Kär vun engem waarmen Oxidatiounsofen, aus héichrengem Quarz, deen d'Hëtzt widderstoen ...
Liest méi
Effekter vum SiC Substrat an epitaxial Materialien op MOSFET Apparat Charakteristiken
vun Administrator op 24-04-16
Dräieckeg Defekt Dräieckeg Defekte sinn déi fatalst morphologesch Mängel a SiC epitaxial Schichten. Eng grouss Zuel vu Literaturberichter hu gewisen datt d'Bildung vun dreieckegen Defekte mat der 3C Kristallform verbonnen ass. Wéi och ëmmer, wéinst verschiddene Wuesstumsmechanismen, ass d'Morphologie vu ville ...
Liest méi
Wuesstum vu SiC Siliziumkarbid Eenkristall
vun Administrator op 24-04-16
Zënter senger Entdeckung huet Siliziumkarbid verbreet Opmierksamkeet ugezunn. Siliziumkarbid besteet aus hallef Si-Atomer an hallef C-Atomer, déi duerch kovalente Bindungen duerch Elektronepaar verbonne sinn, déi sp3 Hybrid-Orbitaler deelen. An der Basisstrukturell Eenheet vu sengem eenzege Kristall, véier Si Atomer sinn e ...
Liest méi
VET aussergewéinlech Eegeschafte vun GRAPHITE Staang
vun Administrator op 24-04-08
Grafit, eng Form vu Kuelestoff, ass e bemierkenswäert Material bekannt fir seng eenzegaarteg Eegeschaften a breet Palette vun Uwendungen. Besonnesch Graphitstäbchen hu bedeitend Unerkennung fir hir aussergewéinlech Qualitéiten a Villsäitegkeet gewonnen. Mat hirer exzellenter thermescher Konduktivitéit, elektrescher Konduktivitéit ...
Liest méi