Neiegkeeten

Wat sinn d'Mängel vun der Epitaxialschicht vum Siliziumkarbid
vun Administrator op 24-06-05
D'Kärtechnologie fir de Wuesstum vu SiC epitaxialen Materialien ass éischtens Defekt Kontroll Technologie, besonnesch fir Defekt Kontroll Technologie déi ufälleg ass fir Gerätausfall oder Zouverlässegkeet Degradatioun. D'Studie vum Mechanismus vu Substratfehler, déi sech an d'Epi ...
Liest méi
Oxidéiert stänneg Kär an epitaxial Wuesstumstechnologie-Ⅱ
vun Administrator op 24-05-30
2. Epitaxial Dënnfilmwachstum De Substrat bitt eng kierperlech Ënnerstëtzungsschicht oder konduktiv Schicht fir Ga2O3 Kraaftapparaten. Déi nächst wichteg Schicht ass d'Kanalschicht oder d'Epitaxialschicht déi fir Spannungsresistenz an Trägertransport benotzt gëtt. Fir d'Decomptespannung ze erhéijen an d'Konzentratioun ze minimiséieren ...
Liest méi
Galliumoxid Eenkristall an epitaxial Wuesstumstechnologie
vun Administrator op 24-05-30
Wide Bandgap (WBG) Hallefleit vertruede vu Siliziumkarbid (SiC) a Galliumnitrid (GaN) hu wäit verbreet Opmierksamkeet kritt. D'Leit hunn héich Erwaardunge fir d'Applikatiounsperspektive vu Siliziumkarbid an elektresche Gefierer a Stroumnetz, souwéi d'Applikatiounsperspektive vu Gallium ...
Liest méi
Wat sinn d'technesch Barrièren fir Siliziumkarbid?Ⅱ
vun Administrator op 24-05-22
Déi technesch Schwieregkeete bei der stabiler Masseproduktioun vu qualitativ héichwäerteg Siliziumkarbidwafere mat stabiler Leeschtung gehéieren: 1) Zënter datt Kristalle mussen an engem héich-Temperature versiegelt Ëmfeld iwwer 2000 ° C wuessen, sinn d'Temperaturkontrollfuerderunge extrem héich; 2) Zënter Siliziumkarbid huet ...
Liest méi
Wat sinn d'technesch Barrièren fir Siliziumkarbid?
vun Administrator op 24-05-22
Déi éischt Generatioun vu Hallefleitmaterialien ass duerch traditionell Silizium (Si) an Germanium (Ge) vertruede, déi d'Basis fir integréiert Circuitfabrikatioun sinn. Si gi wäit an Low-Volt, Low-Frequenz, a Low-Power Transistoren an Detektoren benotzt. Méi wéi 90% vun de semiconductor prod ...
Liest méi
Wéi gëtt SiC Mikropulver gemaach?
vun Administrator op 24-05-13
SiC Eenkristall ass e Grupp IV-IV Verbindung Hallefleitmaterial aus zwee Elementer, Si a C, an engem stoichiometresche Verhältnis vun 1:1. Seng Hardness ass zweet nëmmen dem Diamant. D'Kuelestoffreduktioun vu Siliziumoxid-Methode fir SiC ze preparéieren ass haaptsächlech baséiert op der folgender chemescher Reaktiounsformel ...
Liest méi
Wéi hëllefen epitaxial Schichten Hallefleitgeräter?
vun Administrator op 24-05-13
D'Origine vum Numm epitaxial wafer Als éischt, loosst eis e klengt Konzept populariséieren: wafer Virbereedung enthält zwee grouss Linken: Substrat Virbereedung an epitaxial Prozess. De Substrat ass e Wafer aus semiconductor Eenkristallmaterial. De Substrat kann direkt an d'Waferfabrikatioun kommen ...
Liest méi
Aféierung an d'chemesch Vapor Deposition (CVD) Dënnfilmdepositiounstechnologie
vun Administrator op 24-05-06
Chemesch Vapor Deposition (CVD) ass eng wichteg Dënnfilmdepositiounstechnologie, déi dacks benotzt gëtt fir verschidde funktionell Filmer an dënnschichtmaterialien ze preparéieren, a gëtt wäit an der Hallefleitfabrikatioun an aner Felder benotzt. 1. Aarbechtsprinzip vu CVD Am CVD-Prozess gëtt e Gasvirgänger (een oder ...
Liest méi
De "schwaarz Gold" Geheimnis hannert der photovoltaescher Hallefleitindustrie: de Wonsch an d'Ofhängegkeet vum isostatesche Grafit
vun Administrator op 24-05-06
Isostatesch Grafit ass e ganz wichtegt Material a Photovoltaik a Hallefleit. Mat dem schnelle Steigerung vun inlandsisostatesche Grafitfirmen ass de Monopol vun auslännesche Firmen a China gebrach ginn. Mat kontinuéierlecher onofhängeger Fuerschung an Entwécklung an technologeschen Duerchbroch, de ...
Liest méi