Neiegkeeten

Zorte vu spezielle Graphite
vun Administrator op 24-06-17
Special GRAPHITE ass eng héich Rengheet, héich Dicht an héich Kraaft GRAPHITE Material an huet excellent corrosion Resistenz, héich Temperatur Stabilitéit a grouss elektresch Konduktivitéit. Et ass aus natierlechen oder kënschtlechen GRAPHITE gemaach no héich Temperatur Hëtzt Behandlung an héich Drock Veraarbechtung ...
Liest méi
Analyse vun dënnem Film Oflagerung Ausrüstung - d'Prinzipien an Uwendungen vun PECVD / LPCVD / ALD Equipement
vun Administrator op 24-06-12
Dënn Filmdepositioun ass eng Schicht vu Film op d'Haaptsubstratmaterial vum Halbleiter ze beschichten. Dëse Film kann aus verschiddene Materialien gemaach ginn, wéi isoléierend Verbindung Siliciumdioxid, Halbleiter Polysilicium, Metallkoffer, asw.
Liest méi
Wichteg Materialien, déi d'Qualitéit vum monokristalline Siliziumwachstum bestëmmen - thermesch Feld
vun Administrator op 24-06-12
De Wuesstumsprozess vu monokristallinem Silizium gëtt komplett am thermesche Feld duerchgefouert. E gutt thermescht Feld ass förderlech fir d'Qualitéit vun de Kristalle ze verbesseren an huet eng méi héich Kristalliséierungseffizienz. Den Design vum thermesche Feld bestëmmt gréisstendeels d'Verännerunge vun den Temperaturgradienten ...
Liest méi
Wat sinn d'technesch Schwieregkeeten vum Siliciumcarbid Kristallwachstum Uewen?
vun Administrator op 24-06-07
De Kristallwachstumofen ass d'Kärausrüstung fir Siliziumkarbid Kristallwachstum. Et ass ähnlech wéi den traditionelle kristallinem Silizium-Grad Kristallwuesstumofen. D'Struktur vum Uewen ass net ganz komplizéiert. Et besteet haaptsächlech aus Schmelzkierper, Heizungssystem, Spuletransmissionsmechanismus ...
Liest méi
Wat sinn d'Mängel vun der Epitaxialschicht vum Siliziumkarbid
vun Administrator op 24-06-05
D'Kärtechnologie fir de Wuesstum vu SiC epitaxialen Materialien ass éischtens Defektkontrolltechnologie, besonnesch fir Defektkontrolltechnologie déi ufälleg ass fir Apparatausfall oder Zouverlässegkeetsverschlechterung. D'Studie vum Mechanismus vu Substratfehler, déi sech an d'Epi ...
Liest méi
Oxidéiert stänneg Kär an epitaxial Wuesstumstechnologie-Ⅱ
vun Administrator op 24-05-30
2. Epitaxial Dënnfilmwachstum De Substrat bitt eng kierperlech Ënnerstëtzungsschicht oder konduktiv Schicht fir Ga2O3 Kraaftapparaten. Déi nächst wichteg Schicht ass d'Kanalschicht oder d'Epitaxialschicht déi fir Spannungsresistenz an Trägertransport benotzt gëtt. Fir d'Decomptespannung z'erhéijen an d'Konzentratioun ze minimiséieren ...
Liest méi
Galliumoxid Eenkristall an epitaxial Wuesstumstechnologie
vun Administrator op 24-05-30
Wide Bandgap (WBG) Hallefleit vertruede vu Siliziumkarbid (SiC) a Galliumnitrid (GaN) hu wäit verbreet Opmierksamkeet kritt. D'Leit hunn héich Erwaardunge fir d'Applikatiounsperspektive vu Siliziumkarbid an elektresche Gefierer a Stroumnetz, souwéi d'Applikatiounsperspektive vu Gallium ...
Liest méi
Wat sinn d'technesch Barrièren fir Siliziumkarbid?Ⅱ
vun Administrator op 24-05-22
Déi technesch Schwieregkeete bei der stabiler Masseproduktioun vu qualitativ héichwäerteg Siliziumkarbidwafere mat stabiler Leeschtung gehéieren: 1) Zënter datt Kristalle mussen an engem héich-Temperature versiegelt Ëmfeld iwwer 2000 ° C wuessen, sinn d'Temperaturkontrollfuerderunge extrem héich; 2) Zënter Siliziumkarbid huet ...
Liest méi
Wat sinn d'technesch Barrièren fir Siliziumkarbid?
vun Administrator op 24-05-22
Déi éischt Generatioun vu Hallefleitmaterialien ass duerch traditionell Silizium (Si) an Germanium (Ge) vertruede, déi d'Basis fir integréiert Circuitfabrikatioun sinn. Si gi wäit an Low-Volt, Low-Frequenz, a Low-Power Transistoren an Detektoren benotzt. Méi wéi 90% vun de semiconductor prod ...
Liest méi