Gutt gelaf Tools, Expert Benefice Crew, a vill besser After-Sales Produkter a Servicer; Mir waren och eng vereenegt grouss Ehepartner a Kanner, all Persoun hält sech un d'Firma profitéiert "Vereenegung, Engagement, Toleranz" fir Gutt Qualitéit Silicon Carbide RBSIC / SISIC Cantilever Paddle Benotzt an der Solar Photovoltaic Industrie, Mir begréissen déi zwee auslännesch an Heemecht häerzlech Geschäftsunterricht Begleeder, an hoffen op no a laangfristeg mat Iech ze bedreiwen!
Gutt gelaf Tools, Expert Benefice Crew, a vill besser After-Sales Produkter a Servicer; Mir sinn och eng vereenegt grouss Ehepartner a Kanner, all Persoun hält sech un d'Firma profitéiert "Vereenegung, Engagement, Toleranz" firChina Refractory Keramik a Keramik Uewen, Fir d'Ufuerderunge vu bestëmmte Persoun Clienten fir all bësse méi perfekt Service a stabil Qualitéit Elementer ze treffen. Mir begréissen häerzlech Clienten ronderëm d'Welt fir eis ze besichen, mat eiser villsäiteger Zesummenaarbecht, a gemeinsam nei Mäert entwéckelen, eng brillant Zukunft ze kreéieren!
SiC Beschichtung / Beschichtete vu Graphitsubstrat fir Semiconductor Susceptoren halen an Hëtzt Hallefleitwafere wärend der thermescher Veraarbechtung. E Susceptor ass aus engem Material gemaach dat Energie duerch Induktioun, Leedung an / oder Stralung absorbéiert an de Wafer erhëtzt. Seng thermesch Schockbeständegkeet, thermesch Konduktivitéit a Rengheet si kritesch fir séier thermesch Veraarbechtung (RTP). Siliziumkarbid Beschichtete Grafit, Siliziumkarbid (SiC), a Silizium (Si) ginn allgemeng fir Susceptoren benotzt ofhängeg vun der spezifescher thermescher a chemescher Ëmwelt. PureSiC® CVD SiC a ClearCarbon™ ultra-pure Material dat super thermesch Stabilitéit, Korrosiounsbeständegkeet an Haltbarkeet liwwert. Produit Beschreiwung
SiC Beschichtung vu Graphite Substrat fir Semiconductor Uwendungen produzéiert en Deel mat superieure Rengheet a Resistenz géint oxidéierend Atmosphär.
CVD SiC oder CVI SiC gëtt op Graphite vun einfachen oder komplexen Designdeeler applizéiert. D'Beschichtung kann a verschiddene Dicken an op ganz grouss Deeler applizéiert ginn.
Technesch Keramik ass eng natierlech Wiel fir Hallefleit thermesch Veraarbechtungsapplikatiounen, dorënner RTP (Rapid Thermal Processing), Epi (Epitaxial), Diffusioun, Oxidatioun an annealing. CoorsTek liwwert fortgeschratt Materialkomponenten speziell entwéckelt fir thermesch Schock mat héijer Rengheet, robust, widderhuelend Leeschtung fir héich Temperaturen ze widderstoen
Fonctiounen:
· Excellent thermesch Schock Resistenz
· Excellent kierperlech Schock Resistenz
· Excellent chemesch Resistenz
· Super héich Rengheet
· Disponibilitéit an komplex Form
· Benotzbar ënner oxidéierend Atmosphär
Applikatioun:
E Wafer muss duerch e puer Schrëtt passéieren ier se prett ass fir an elektroneschen Apparater ze benotzen. Ee wichtege Prozess ass Silizium-Epitaxie, an där d'Waferen op Grafit-Susceptoren gedroe ginn. D'Eegeschafte an d'Qualitéit vun de Susceptoren hunn en entscheedende Effekt op d'Qualitéit vun der epitaxialer Schicht vum Wafer.
Typesch Eegeschafte vum Base Graphite Material:
Scheinbar Dicht: | 1,85 g/cm3 |
Elektresch Resistenz: | 11 μΩm |
Flexural Stäerkt: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
Shore Hardness: | 58 |
Äsche: | <5 ppm |
Thermesch Konduktivitéit: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
Méi Produ