Eis Wueren gi vun de Benotzer breet unerkannt a verlässlech a kënnen de konsequent wiesselnden finanziellen a sozialen Ufuerderunge vun der Fabréck direkt China Green erfëllenSicSiliziumkarbidpulver JIS Standard, dofir kënne mir verschidde Ufroen vun ënnerschiddleche Clienten erfëllen. Kuckt Iech eis Websäit un, fir méi Informatiounen iwwer eis Produkter ze kréien.
Eis Wueren gi vun de Benotzer breet unerkannt a verlässlech a kënnen de konsequent wiesselnden finanziellen a sozialen Ufuerderunge vunChina Siliziumkarbid, SicEis Firma engagéiert sech ëmmer fir Är Qualitéitsufuerderungen, Präispunkten a Verkafsziler ze erfëllen. Mir begréissen Iech häerzlech, wann Dir d'Grenze vun der Kommunikatioun opmaacht. Et ass eis eng grouss Freed, Iech ze déngen, wann Dir e vertrauenswürdege Fournisseur a wäertvoll Informatioune braucht.
Kuelestoff / Kuelestoffkompositen(weiderhin als "C / C oder FCKW) ass eng Zort Kompositmaterial, dat op Kuelestoff baséiert a mat Kuelefaser a senge Produkter (Kuelefaser-Präform) verstäerkt ass. Et huet souwuel d'Inertie vu Kuelestoff wéi och déi héich Stäerkt vu Kuelefaser. Et huet gutt mechanesch Eegeschaften, Hëtztbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet, Reibungsdämpfung a gutt thermesch an elektresch Leetfäegkeetseigenschaften.
CVD-SiCD'Beschichtung huet d'Charakteristike vun enger eenheetlecher Struktur, engem kompakten Material, héijer Temperaturbeständegkeet, Oxidatiounsbeständegkeet, héijer Rengheet, Säure- a Alkaliresistenz an organesche Reagenzien, mat stabile physikaleschen a chemeschen Eegeschaften.
Am Verglach mat héichreine Graphitmaterialien fänkt Graphit bei 400°C un ze oxidéieren, wat zu engem Pulververloscht duerch Oxidatioun féiert, wat zu Ëmweltverschmotzung vun Peripheriegeräter a Vakuumkammeren féiert, an d'Onreinheeten an der héichreiner Ëmwelt erhéicht.
Wéi och ëmmer, kann d'SiC-Beschichtung physikalesch a chemesch Stabilitéit bei 1600 Grad behalen, si gëtt wäit an der moderner Industrie benotzt, besonnesch an der Hallefleederindustrie.
Eis Firma bitt SiC-Beschichtungsprozessdéngschter mat der CVD-Method op der Uewerfläch vu Graphit, Keramik an aner Materialien un, sou datt speziell Gaser, déi Kuelestoff a Silizium enthalen, bei héijer Temperatur reagéieren, fir héichreine SiC-Moleküle ze kréien, déi sech op der Uewerfläch vun de beschichtete Materialien ofsetzen an doduerch eng SIC-Schutzschicht bilden. Déi entstane SIC ass fest un d'Graphitbasis gebonnen, wat der Graphitbasis speziell Eegeschafte gëtt, wouduerch d'Uewerfläch vum Graphit kompakt, porositéitsfräi, héichtemperaturbeständeg, korrosiounsbeständeg an oxidationsbeständeg ass.
Haaptmerkmale:
1. Oxidatiounsbeständegkeet bei héijen Temperaturen:
D'Oxidatiounsbeständegkeet ass ëmmer nach ganz gutt bei Temperaturen bis zu 1600 °C.
2. Héich Rengheet: duerch chemesch Gasoflagerung ënner héijer Temperaturchloréierungsbedingung hiergestallt.
3. Erosiounsbeständegkeet: héich Häert, kompakt Uewerfläch, fein Partikelen.
4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenzien.
Haaptspezifikatioune vu CVD-SIC Beschichtungen:
| SiC-CVD | ||
| Dicht | (g/cc)
| 3.21 |
| Biegefestigkeit | (Mpa)
| 470 |
| Thermesch Expansioun | (10-6/K) | 4
|
| Wärmeleitfäegkeet | (W/mK) | 300
|
