Carbonis carbonis composita(Infra ad ut "C / C vel CFC") est quaedam materia composita quae carbone innititur et aucta fibrarum carbonii et eius productorum (praeform fibrarum carbonis). Habet et inertiam carbonis et altitudinem roboris fibri carbonii. Habet proprietates mechanicas bonas, resistentiam caloris, resistentiam corrosionis, frictioni debilitationis et notarum thermarum et electricae deductionis.
CVD-SiCefficiens notas habet structurae uniformis, materiae compactae, resistentiae caliditatis, resistentiae oxidationis, puritatis altae, resistentiae acid&alcali et reagenti organici, cum proprietatibus physicis et chemicis stabilibus.
Comparata cum materia graphitica alta puritate, graphite incipit oxidizare in 400C, quod damnum faciet pulveris propter oxidationem, inde in pollutione environmental machinis periphericis et cubiculis vacuum, et immunditias altae puritatis ambitus auget.
Attamen, SiC coating corporis et chemicae stabilitatem in 1600 gradibus conservare potest, late in recentiore industria adhibetur, praesertim in industria semiconductoris.
Societas nostra SiC efficiens operas processus per methodum CVD in superficie graphitarum, ceramicorum et aliarum materiarum praebet, ut gasi speciales in caliditate carbonis et siliconis reant, ad altam puritatem SiC molecularum, molecularum in superficie materiarum iactatarum depositarum; formatam SIC tutela iacuit. SIC formatum firmiter cum basi graphite connexum est, dans basin graphite speciales proprietates, ita superficies pacti graphitici, libera porositas, resistentia caliditas, resistentia corrosio et resistentia oxidationis.
Praecipua lineamenta:
1. caliditas oxidationis resistentia;
oxidatio resistentia adhuc optima est, cum siccus tam altus est quam 1600 C.
2. Alta puritas: factae depositionis vaporis chemicae sub conditione chlorinationis caliditatis.
3. Exesa resistentia: durities alta, superficies compacta, particulae tenuis.
4. Corrosio resistentiae: acidum, alcali, salis et reagentia organica.
Specificationes principales de CVD-SIC Coatings:
| SiC-CVD | ||
| Density | (g/cc)
| 3.21 |
| Flexurae vires | (Mpa)
| 470 |
| Scelerisque expansion | (10-6/K) | 4
|
| Scelerisque conductivity | (W/mK) | 300
|
