SiC coating graphite MOCVD Wafer carriersGraphite Susceptoresad SiC Epitaxy;
Ipsum commeatus susceptores, EPITAXY ET MOCVD, epitaxy susceptores, Graphite commeatus susceptores, Graphite Susceptores, Graphite Trays,

CVD-SiC coating notas habet structurae uniformis, materiae compactae, resistentiae caliditatis, resistentiae oxidationis, puritatis altae, resistentiae acid&alcali et reagenti organici, cum proprietatibus physicis et chemicis stabilibus.

Comparata cum materia graphitica alta puritate, graphite incipit oxidizare in 400C, quod damnum faciet pulveris propter oxidationem, inde in pollutione environmental machinis periphericis et cubiculis vacuum, et immunditias altae puritatis ambitus auget.

Attamen, SiC coating corporis et chemicae stabilitatem in 1600 gradibus conservare potest, late in recentiore industria adhibetur, praesertim in industria semiconductoris.

Societas nostra SiC efficiens operas processus per methodum CVD in superficie graphitarum, ceramicorum et aliarum materiarum praebet, ut gasi speciales in caliditate carbonis et siliconis reant, ad altam puritatem SiC molecularum, molecularum in superficie materiarum iactatarum depositarum; formatam SIC tutela iacuit. SIC formatum firmiter cum basi graphite connexum est, dans basin graphite speciales proprietates, ita superficies pacti graphitici, libera porositas, resistentia caliditas, resistentia corrosio et resistentia oxidationis.

Applicatio:

Praecipua lineamenta:

1. caliditas oxidationis resistentia;

oxidatio resistentia adhuc valde bona est cum siccus tam altus quam 1700 C est.

2. Alta puritas: factae depositionis vaporis chemicae sub conditione chlorinationis caliditatis.

3. Exesa resistentia: durities alta, superficies compacta, particulae tenuis.

4. Corrosio resistentiae: acidum, alcali, salis et reagentia organica.

Specificationes principales de CVD-SIC Coatings:

Facultates copia:

(X) Piece / Mass per mense
Packaging & Delivery:
Stipare: Standard & Strong Pack
Poly pera + Box + Carton + Pallet
Portus:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Tempus ducere: