News

Quid sunt technicae claustra ad carbide Pii?
by admin on 24-05-22
Difficultates technicae in massa stabiliter producentes qualitatem siliconis carbidam lagana stabili cum effectu includunt: 1) Cum crystalla crescere necesse sit in ambitu magno temperato signato supra 2000°C, temperatura moderatio requisita sunt altissima; 2) Cum carbide Pii plus habet...
Read more
Quae sunt claustra technica carbidi Pii?
by admin on 24-05-22
Prima generatio materiae semiconductoris repraesentatur per traditum silicon (Si) et germanium (Ge), quae fundamentum sunt in fabricandis circulis integratis. Plerumque in humili intentione, demissa frequentia, et demissa potentia transistores et detectores adhibentur. Plus quam 90% semiconductoris prod...
Read more
Quomodo sic factus est minimus pulvis?
by admin on 24-05-13
SiC unicum crystallum est Group IV-IV compositum semiconductor ex duobus elementis compositum, Si et C, in ratione stoichiometrica 1, 1. Alterum solum adamantinum duritia est. Reductio carbonis methodi oxydi siliconis ad parandum SiC maxime fundatur in formula reactionis chemica sequenti ...
Read more
Quomodo epitaxiales laminis semiconductores adiuvant machinas?
by admin on 24-05-13
Origo nominis lagani epitaxialis Primo, parvum conceptum popularemus: laganum praeparatio duos nexus maiores includit: praeparatio subiecta et processus epitaxialis. Subiectum est laganum semiconductoris unius materiae crystalli fabricatum. Subiectum protinus ingredi potest vestibulum laganum...
Read more
Introductio ad depositionis vaporum chemicorum (CVD) depositio technologiae tenuis pelliculae
by admin on 24-05-06
Depositio Vaporis chemica (CVD) technologiae pelliculae tenuis magni momenti est, saepe usus est ad varias membranas cinematographicas et ad materias graciles praeparandas et late in fabricandis semiconductoribus aliisque agris usus est. 1. Operationis principium CVD In processu CVD, praecursor gas (vel mo...
Read more
"Aurum nigrum" secretum post industriam photovoltaicam semiconductorem: desiderium et dependentia graphite isostatice.
by admin on 24-05-06
graphites Isostaticus maximi momenti est materia in photovoltaicis et semiconductoribus. Raptim ortum societatum graphitarum isostaticarum domesticarum, monopolium societatum peregrinarum in Sinis fracta est. Cum continuis investigationibus independentibus et evolutionis ac technologicis interruptionibus, ...
Read more
Detegere Essentiales Graphitae Navis in Semiconductor Ceramics Vestibulum
by admin on 24-04-22
Naviculae graphitae, etiam scaphae graphitae notae, in intricatis processibus ceramicorum semiconductorium fabricando crucialem partes agunt. Vasa haec specialiora sunt certae baiulatores pro lagana semiconductoris in curationibus summus temperatus, processus accurati et moderati praestandi. Cum...
Read more
Interna structura instrumenti tubi fornacei in specie exponitur
by admin on 24-04-22
Ut supra ostensum est, typica Pars prima: Elementum calefactivum (coilum calefactivum) : situm circa tubum fornacem, plerumque filis resistentiae, ad calefaciendum intus fistulae fornacis. Quartz Tube: Coro fornacis oxidationis calidae, factae vicus summus puritatis qui potest sustinere altitudinis...
Read more
Effectus Sic subiectorum et epitaxial materiae in MOSFET notae fabrica
by on 24-04-16
Defectus triangularis defectus triangularis sunt maxime mortifera vitia morphologica in stratis epitaxialibus SiC. Magnum praeterea numerum litterarum notarum ostendimus formationem defectuum triangularis ad formam 3C crystalli referendam esse. Tamen, ob varias machinas auctas, morphologiam multorum tr...
Read more