Cum magna nostra administratione, facultate technica potenter et tractatu excellenti stricte procedendi, pergimus ut clientes nostros cum honestis qualitatibus, rationabili pretio et magnis provisoribus vendentes. Propositum est fieri inter fidelissimis sociis tuis et satisfactionem promerendo pro Vendontibus Tuum Bonum Sinarum Abrasive poliendo et Sandblasting Pii Carbide NanoSiccum Conductivity Good Thermal, Finis noster ultimus semper est quasi notam supremam praeferre et etiam quasi auctorem in campo nostro ducere. Certi sumus nos experientiam fructuosam in instrumento creationis fidem emptoris habituram, optamus ut meliorem diu terminus vobiscum cooperari et cooperari!
Cum magna nostra administratione, facultate technica potenter et tractatu excellenti stricte procedendi, pergimus ut clientes nostros cum honestis qualitatibus, rationabili pretio et magnis provisoribus vendentes. Propositum est fieri inter fidelissimos socios tuos et promerendo satisfactionem tuamSinae Pii Carbide, Sic, Propositum nostrum est "primum gradum products et solutiones praebere et optimum servitium pro nostris clientibus, sic certi sumus vos habere marginem beneficium per cooperationem nobiscum". Si interest in aliquo mercaturae nostrae vel de consuetudine ordinis disputare vellem, placet liberum contactus nos. Prospicimus ut relationes cum novis clientibus circa mundum in proximo futuro negotiando feliciter instituendo.
Product Description
Societas nostra SiC efficiens operas processus per methodum CVD in superficie graphitarum, ceramicorum et aliarum materiarum praebet, ut gasi speciales in caliditate carbonis et siliconis reant, ad altam puritatem SiC molecularum, molecularum in superficie materiarum iactatarum depositarum; formatam SIC tutela iacuit.
Praecipua lineamenta:
1. caliditas oxidationis resistentia;
oxidatio resistentia adhuc optima est, cum siccus tam altus est quam 1600 C.
2. Puritas alta : factae depositionis vaporis chemicae sub conditione chlorinationis caliditatis.
3. Exesa resistentia: durities alta, superficies compacta, particulae tenuis.
4. Corrosio resistentiae: acidum, alcali, salis et reagentia organica.
Specificationes principales de CVD-SIC Coating
| Sic-CVD Properties | ||
| Crystal Structure | FCC β phase | |
| Density | g/cm | 3.21 |
| duritia | Vickers duritia | 2500 |
| Frumenti Size | μm | 2~10 |
| Puritas chemica | % | 99.99995 |
| Calor Capacitas | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimatio Temperature | ℃ | 2700 |
| Fortitudo Felix | MPa (RT 4-punctum) | 415 |
| Modulus | Gpa (4pt bend, 1300℃) | 430 |
| Scelerisque Expansion (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Scelerisque conductivity | (W/mK) | 300 |
