Omnia agimus semper cognata cum nostra tenet ” Client first, Confidentes 1st, devoto de refectionibus packaging et tutelae pro Factory Vendere Sinarum politum Silicon Carbide Sisic Molendum Barrel Shape Sic Tube ad Molendum Molendinum, spem nobis benigne suscepimus, consociationes consociationes et socios ubique terrarum ad nos contingant et petant cooperationem pro mutuis beneficiis.
Omnia agimus semper cognata cum nostra custodia ” Client first, Confidentiam in 1st, operam de prandiis packaging et tutelae pro tutelaChina SAE1026 Honing Tube, S45c Honed tubeNostra productio in plus quam XXX regiones et regiones exportata est ut prima manu fonte minimo pretio. Clientes sincere excipimus tam domi quam foris ut ad negotia tractanda nobiscum veniant.
Product Description
Societas nostra SiC efficiens operas processus per methodum CVD in superficie graphitarum, ceramicorum et aliarum materiarum praebet, ut gasi speciales in caliditate carbonis et siliconis reant, ad altam puritatem SiC molecularum, molecularum in superficie materiarum iactatarum depositarum; formatam SIC tutela iacuit.
Praecipua lineamenta:
1. caliditas oxidationis resistentia;
oxidatio resistentia adhuc optima est, cum siccus tam altus est quam 1600 C.
2. Puritas alta : factae depositionis vaporis chemicae sub conditione chlorinationis caliditatis.
3. Exesa resistentia: durities alta, superficies compacta, particulae tenuis.
4. Corrosio resistentiae: acidum, alcali, salis et reagentia organica.
Specificationes principales de CVD-SIC Coating
Sic-CVD Properties | ||
Crystal Structure | FCC β phase | |
Density | g/cm | 3.21 |
duritia | Vickers duritia | 2500 |
Frumenti Size | μm | 2~10 |
Puritas chemica | % | 99.99995 |
Calor Capacitas | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
Sublimatio Temperature | ℃ | 2700 |
Fortitudo Felix | MPa (RT 4-punctum) | 415 |
Modulus | Gpa (4pt bend, 1300℃) | 430 |
Scelerisque Expansion (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Scelerisque conductivity | (W/mK) | 300 |