Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptorpeculiariter designatum est auxilium et machinam calefactionem tenere et caloris semiconductoris subiectae in processibus faciendis sicut Depositio vel Epitaxy processuum.

Eius structura typice cylindrica vel modice dolii formata comprehendit, lineamenta superficiei multiplex loculos vel tabulata ad lagana collocandum, solida vel concava esse possunt, secundum modum calefactionis.

Praecipua munera susceptoris dolii epitaxialis;

-Substrate firmamentum: secure tenet lagana semiconductor multiplex;
- Calidum principium: praebet caliditates ad incrementum per calefactionem requisitum;
-Temperature uniformitas: uniformis calefacit subiecta;
-Rotation: plerumque gyratur per incrementum ad meliorem temperiem et distributionem gas uniformitatem.

Opus principale dolii Epi graphite susceptoris;
- In epitaxiali reactor, dolium susceptorem calefit ad debitam temperiem (typice 1000℃-1200℃ pro epitaxia Pii);
-Dolium susceptor circumagatur ut uniformis temperies distributio et fluxus gasi;
- Reactio gasorum ad temperaturas altas putrescentes, stratis epitaxialibus in superficie substratis efformantibus.

Applicationes:
-Primarily propter incrementum epitaxial Pii
- Etiam pro epitaxy aliarum materiarum semiconductorium ut GaAs, InP, etc.

VET Energy puritatis graphitae altae cum CVD-SiC vestiuntur ad stabilitatem chemicam augendam;

Commoda VET Energy Epitaxial Epi Graphite Ferocactus Susceptor:

- Maximum temperamentum stabilitatis est;
-Bona scelerisque uniformitas;
-Potest processus plures simul subiectae, efficientia efficiendi meliori;
-Chemically iners, altum puritatis incrementum obtinens ambitus.