Sic Coated

VET NAVITAS, Fabricator CVD SIC ducens in Sinis

Materials Mutare Future

Pii carbide (SiC) est nova materia composita semiconductor. Silius carbide magnam stropham habet (circa 3 tempora Pii), princeps vires campi critici (circa 10 tempora Pii), princeps conductivity scelerisque (circiter 3 temporibus siliconis). Gravis est materia semiconductor proxima-generationis. SiC coatings late in industria semiconductoris et photovoltaici solaris adhibentur. Praesertim susceptores adhibiti in incremento epitaxiali LEDs et Si unius epitaxi crystalli usum tunicae SiC requirent. Ob validam sursum inclinationem LEDs in sedendo et ostentando industriam ac strenuam progressionem semiconductoris industriae;SiC coating productospes valde bona est.

USUS agro

Productum application et perficiendi Product applications et usus

Si singula cristalli industria, GaN, AlN, sapphiri aliaeque bases MOCVD. -Graphite basi efficiens pro uno crystallo siliconis epitaxial incrementum

Praecipua effectus: princeps puritas, exesa resistentia, princeps scelerisque conductivity, - MOCVD processus, graphita basi vestitur pro incremento epitaxial GaN

caliditas resistentia, humilis scelerisque dilatatio coefficiens.

MOCVD susceptores

Monocrystallini pii epitaxial susceptores

Plasma engraving orbis

Solaris photovoltaic products

Semiconductor Industry

Solaris photovoltaic

Scelerisque Conductivity	250 W/m °K	Modus laser mico, RT
Scelerisque Expansion (CTE)	4.5 x 10^-6°K	Locus temp ad 950 °C, silica dilatometer
Property	Precium	Methodus
Density	3.21 g/cc	Sink-natat et dimensio
Imprimis calor	0.66 J/g °K	Pulsus mico laser
Flexurae vires	450 MPa560 MPa	4 punctum anfractus, RT4 punctum flexus, 1300°
Fractura spissitudo	2.94 MPa m1/2	Microindentation
duritia	2800	Vicker's, 500g onus
Elasticus ModulusYoung's Modulus	450 GPa430 GPa	4 pt flecti, RT4 pt flecti, MCCC °C
Frumenti magnitudine	2 - 10 µm	SEM

Puritas, SEM Structura, crassitudo analysiSic coating

Puritas SiC coatingit graphite utendo CVD tam alta est quam 99,9995%. Eius structura fcc. Membrana SiC in graphite obducta est (111) ordinatur ut in notitia XRD (Fig.1) ostendatur altam qualitatem cristallinae. Crassitudo cinematographici SiC valde uniformis ut in Fig.

SEM datae cinematographicae CVD SiC tenuis, crystalli magnitudo est 2~1 Opm

Fig

CVD SiC cristallus structura cinematographici faciei centrum est structurae cubicae, et incrementum cinematographici propensio ad C% est.

SEM and XRD of beta‐SiC film on graphite

SINGULA CRYSTALLI SILICON EPITAXIALIS BASIS

Productum perficiendi et applicationis prospectum.

Pii carbide (SiC) iactaretbasis est optima basis crystalli unius Pii et GaN epitaxiae, quae est nucleus componentis epitaxy fornacis. Basis est productio clavis accessoria monocrystallini siliconis pro magnis circuitionibus integratis. Magnam habet puritatem, caliditatem resistentiam, corrosionem resistentiam, bonam aeris emissiones et alias notas materiales egregias.

Product application et usus

Graphite basi vestiens pro uno cristallo siliconis augmento epitaxiali congruens pro machinis Aixtron, etc. crassitudine Coating: 90~ 150um diametri lagani crateris 55mm est.

SOLAR PHOTOVOLTAIC

GAupidpelitcubaetiaonnd

graphite uas coatingpro uno crystallo Pii a recta-traho modum

una cristallus pii productionis industrialis per modum e recto-trahendi;three-petaled uasculosicut caliditas portans et uniformis caloris conductionis partes, tubum fluunt sicut partes gas circulationem channelheat conduction exhauriunt, tubus fluunt sicut canalem circulationem gasi exhauriunt.

HEATER, GRAPHITE, GRAPHITE CYLINDER, GRAPHITE SHEET ETALIAS

Product features

Hightemperate resistentia, resistentia corrosio, vita longi muneris, laganum output quale potest emendare. Cum valde humilis coëfficientis dilatationis scelerisque, caliditas resistentiae, altae gerunt resistentiae, bonae velitationis, bonae stabilitatis chemicae, prope purpuram (rubrum) extra lucem visibilem penetrationem.

Quid elige nobis

Lorem apparatu et team

Classis 1000 pulvis liberorum officina

*plus quam MMM quadratum metris de M genere pulvis-liberum officinam

*Cooperantem R & D manipulus Academiae Scientiarum Sinensis

*Specialitas productio et accuratio probatio apparat

*Satis ac summus qualitas productionis capacitatis

Quick Service

Ante-ordinem temporis, turmae professionales nostrae venditionesque vestrae inquisitioni respondere potuerunt intra 50-100 minutas horas laborantes et intra 12 horas in arto tempore. Expedita et professio responsio adiuvabit clientem tuum cum optione perfecta in alta efficientia.

Pro scaena ordinis nostri muneris professio turmas picturas singulas 3 ad 5 dies capiet pro manu prima renovationis notitiae productionis et documenta intra 36 horas ad progressum navicularum renovandum praebent. Post-venditionis officium altam operam dabimus.

Pro scaena enim post venditionem, turma nostra servitus semper arctam cum te consuetudinem retinet et semper adsistit servicio tuo. Munus nostrum post venditionem professionalem etiam includunt fabrum nostrum volare ad auxilium te solvendum quaestiones in situ. Warantum nostrum duodecim menses post partum est.

Packaging details

Ningbo VET Energy Technologia Co., Ltd est fabrica professionalis pro partibus graphitis, praesertim in evolutione novarum materiarum semiconductorium et in investigatione et progressu SiC coating focusing. Societas principalia producta sunt susceptores Sic-coated pro industria DUXERIT industriam et industriam siliconis monocrystallini. SiC cinematographica usus industriae et industriae siliconis monocrystallini usus est Phase cubicae, quae eandem structuram cancellos habet cum adamante, et eius duritia tantum bonum est ac adamas. Carbida Silicon amplissima est globum spacium semiconductoris materialis amplissimum amplum, et ampla applicatione expectationes in industria semiconductoris habet. Praeter, carbide siliconis scelerisque conductivity altam habet, parva expansio coëfficientis scelerisque, resistentia caliditas (circa 2700 gradus Celsius), et resistentia optima corrosio. Societas carbida siliconis producta efficiens etiam late usus est in spatio aerospace, industria photovoltaica, industria nuclei, velocitate plenas blasphemiae, autocinetis et aliis industriis.

FAQs

Habesne minimam quantitatem ordinis?

Ita omnes ordines internationales requirimus ut quantitatem ordinis minimam permanentem habeant.

Potesne documenta suppeditare?

Maxime documenta praebere possumus in analysi Testimonia / Conformantia; Cautionum; Origin, et alia documenta exportandi ubi opus est.

Quid est medium plumbi tempus?

Ad exempla, plumbum tempus est circiter VII dierum. Ad productionem mass, plumbum tempus est 15-25 dies post depositum solutionem acceptam. Tempora plumbea efficacia fiunt cum depositum tuum sumpsimus, et finalem approbationem pro tuis productis habemus. In omnibus causis necessitates vestras accommodare conabimur. Pleraque id facere possumus.

Quales solutionis modos accipis?

Reddere potes nostrae patrimonio putent, Unionis occidentalis vel PayPal:
30% depositum in antecessum, 70% statera ante amet vel contra exemplar B/L.

Quid est productum warantum?

Materiam nostram et opus warantizamus. Nostrum officium est satisfactio vestra cum fructibus nostris. In warantia vel non, cultura nostrorum societatis est allocare et resolvere omnes quaestiones emptores ad omnium satisfactionem

Ecquid incolumem ac securam traditio praestabit productorum?

Etiam semper utimur optimum export packaging. Utimur etiam aleam specialem sarcinam pro bonis periculosis et convalidari frigus repositionis navium ad item sensitivas temperaturas. Specialista packaging et non-vexillum sarcinis requisitis additum crimen incurrere possunt.

Quid de feodis navium?

Naves sumptus pendent modo bona acquirendi vis. Expressum est plerumque celerrima, sed etiam via pretiosa. Per seafreight optima solutio ad magnum pondus. Navales rates tantum tibi dare possumus, si singula quantitatis, ponderis et viae cognoscimus. Please contact us for further information.