Кремний негизиндеги GaN Epitaxy

Кыска сүрөттөмө:


  • Келип чыккан жери:Кытай
  • Кристалл структурасы:FCCβ фазасы
  • Жыштыгы:3,21 г/см
  • Катуулугу:2500 Викерс
  • Дан өлчөмү:2~10μm
  • Химиялык тазалыгы:99.99995%
  • Жылуулук сыйымдуулугу:640J·kg-1·K-1
  • Сублимация температурасы:2700℃
  • Жыныстык күч:415 Мпа (RT 4-пункт)
  • Жаш модулу:430 Gpa (4pt ийилген, 1300℃)
  • Термикалык кеңейүү (CTE):4,5 10-6К-1
  • Жылуулук өткөрүмдүүлүк:300(Вт/МК)
  • Продукт чоо-жайы

    Продукт тегдери

    Продукт Description

    Биздин компания графит, керамика жана башка материалдардын бетинде CVD ыкмасы менен SiC каптоо процессин камсыздайт, ошондуктан көмүртек жана кремний камтыган атайын газдар жогорку температурада реакцияга кирип, жогорку тазалыктагы SiC молекулаларын, капталган материалдардын бетине жайгаштырылган молекулаларды, SIC коргоочу катмарын түзүү.

    Негизги өзгөчөлүктөрү:

    1. Жогорку температурадагы кычкылданууга каршылык:

    кычкылданууга каршылык температура 1600 С чейин жогору болсо дагы абдан жакшы.

    2. Жогорку тазалык : жогорку температурада хлордоо шартында химиялык буу менен жасалган.

    3. Эрозияга туруштук берүү: жогорку катуулук, компакт бети, майда бөлүкчөлөр.

    4. Коррозияга туруктуулугу: кислота, щелоч, туз жана органикалык реагенттер.

    CVD-SIC жабуунун негизги мүнөздөмөлөрү

    SiC-CVD касиеттери

    Кристалл структурасы FCC β фазасы
    тыгыздыгы г/см³ 3.21
    Катуулугу Викерс катуулугу 2500
    Дан өлчөмү мкм 2~10
    Химиялык тазалык % 99.99995
    Жылуулук сыйымдуулугу J·kg-1 ·K-1 640
    Сублимация температурасы 2700
    Felexural Strength МПа (RT 4-пункту) 415
    Young's Modulus Gpa (4pt ийилген, 1300℃) 430
    Термикалык кеңейүү (CTE) 10-6К-1 4.5
    Жылуулук өткөрүмдүүлүк (Вт/мК) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Мурунку:
  • Кийинки:

  • WhatsApp онлайн чат!