SiC каптоо / капталган графит субстрат / жарым өткөргүч үчүн лоток

Кыска сүрөттөмө:

VET Energy SiC капталган графиттин эпитаксиалдык өсүү үчүн кабылдагыч - бул узак убакыт бою ырааттуу жана ишенимдүү аткарууну камсыз кылуу үчүн иштелип чыккан жогорку натыйжалуу продукт. Бул супер жакшы жылуулук туруктуулугуна жана жылуулук бирдейлигине, жогорку тазалыкка, эрозияга туруктуулугуна ээ, бул пластинаны иштетүү үчүн эң сонун чечим.

Бизге электрондук кат жөнөтүү PDF катары жүктөп алыңыз

Продукт чоо-жайы

Продукт тегдери

SiC каптоо/жарым өткөргүч үчүн Графит сезгич менен капталган

TheSiC капталган графит субстратжарым өткөргүчтөрдү кайра иштетүү өнөр жайынын катуу талаптарын канааттандыруу үчүн иштелип чыккан абдан бышык жана натыйжалуу чечим болуп саналат. Жогорку тазалыктын катмарын камтыйткремний карбиди (SiC) каптоо, бул субстрат өзгөчө жылуулук туруктуулугун, кычкылданууга каршылыкты жана узак кызмат мөөнөтүн камсыздайт, бул MOCVD процесстеринде, графит пластинкасын ташыгычтарда жана башка жогорку температуралуу чөйрөлөрдө колдонуу үчүн идеалдуу кылат.

Өзгөчөлүктөрү:
· Мыкты жылуулук шок каршылык
· Эң сонун физикалык соккуга туруктуулук
· Мыкты химиялык туруктуулук
· Супер жогорку тазалык
· Татаал формада болушу
· Кычкылдандыруучу атмосферада колдонууга болот

Колдонмо:

Продукт өзгөчөлүктөрү жана артыкчылыктары:

1. Жогорку жылуулук каршылык:Жогорку тазалык мененSiC каптоо, субстрат экстремалдык температурага туруштук берип, эпитакси жана жарым өткөргүчтөрдү жасоо сыяктуу талап кылынган чөйрөлөрдө ырааттуу иштөөнү камсыз кылат.

2. Жакшыртылган туруктуулук:SiC капталган графит компоненттери химиялык коррозияга жана кычкылданууга каршы туруу үчүн иштелип чыккан, бул стандарттык графит субстраттарына салыштырмалуу субстраттын иштөө мөөнөтүн узартат.

3. Айнек сымал капталган графит:Уникалдуу айнек сымал түзүлүшүSiC каптоожогорку температурада иштетүүдө эскирүүнү азайтып, беттин мыкты катуулугун камсыз кылат.

4. Жогорку тазалыктагы SiC каптоо:Биздин субстрат сезгич жарым өткөргүч процесстеринде минималдуу булганууну камсыздайт жана материалдын катуу тазалыгын талап кылган тармактар үчүн ишенимдүүлүктү сунуш кылат.

5. Кеңири рыноктук колдонмо:TheSiC капталган графит сезгичжарым өткөргүч өндүрүшүндө SiC капталган өнүккөн өнүмдөрүнө суроо-талаптын өсүшү менен базар өсүүнү улантууда, бул субстратты графит пластиналар рыногунда да, кремний карбид менен капталган графит табактары рыногунда да негизги оюнчу катары позициялайт.

Негизги Графит материалынын типтүү касиеттери:

Көрүнгөн тыгыздык:	1,85 г/см3
Электр каршылыгы:	11 мкм
ийилүү күчү:	49 МПа (500кгф/см2)
Жээктин катуулугу:	58
Күл:	<5ppm
Жылуулук өткөргүчтүк:	116 Вт/мК (100 ккал/мч-℃)

CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC негизги физикалык касиеттерикаптоо
性质 / Property	典型数值 / Typical Value
晶体结构 / Crystal Structure	FCC β фазасы 多晶，主要为（111）取向
密度 / Density	3,21 г/см³
硬度 / Hardness	2500 维氏硬度（500г жүк）
晶粒大小 / Grain Size	2~10μm
纯度 / Химиялык тазалык	99.99995%
热容 / Жылуулук сыйымдуулугу	640 Дж·кг^-1· К^-1
升华温度 / Сублимация температурасы	2700℃
抗弯强度 / Flexural Strength	415 МПа РТ 4-пункту
杨氏模量 / Young's Modulus	430 Gpa 4pt ийилип, 1300 ℃
导热系数 / Жылуулук өткөрүмдүүлүк	300W·m^-1· К^-1
热膨胀系数 / Thermal Expansion(CTE)	4,5×10^-6K^-1

VET Energy - бул SiC каптоо, TaC каптоо, айнектүү көмүртек каптоо, пиролиттик көмүртек каптоо ж.б. сыяктуу ар кандай жабдыктары бар жекелештирилген графит жана кремний карбид буюмдарынын чыныгы өндүрүүчүсү, жарым өткөргүч жана фотоэлектрдик өнөр жайы үчүн ар кандай ылайыкташтырылган тетиктерди бере алат.

Биздин техникалык команда жогорку ата мекендик изилдөө институттарынан келет, силер үчүн көбүрөөк кесиптик материалдык чечимдерди камсыз кыла алат.

Биз өнүккөн материалдар менен камсыз кылуу үчүн өнүккөн процесстерди тынымсыз өнүктүрөбүз жана жабын менен субстраттын ортосундагы байланышты катуураак жана ажыратууга азыраак жакын кыла турган эксклюзивдүү патенттелген технологияны иштеп чыктык.

Сизди биздин фабрикага барыңыз, келиңиз, андан ары талкуулайлы!